| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 927961 | NE1619DS | HECETA4 temperatura y monitor de voltaje | NXP Semiconductors |
| 927962 | NE2001-VA20 | Cerca del printhead termal del borde (8 puntos/milímetro) | ROHM |
| 927963 | NE2001-VA20A | > Termal De Printheads; > Plástico De la Tarjeta De Fro; NE200 * -, serie 300*-va@ | ROHM |
| 927964 | NE2002-VA10A | > Termal De Printheads; > Plástico De la Tarjeta De Fro; NE200 * -, serie 300*-va@ | ROHM |
| 927965 | NE2004-VA10A | > Termal De Printheads; > Plástico De la Tarjeta De Fro; NE200 * -, serie 300*-va@ | ROHM |
| 927966 | NE202 | Fet ULTRA BAJO De la ENSAMBLADURA De la VENDA HETERO Del RUIDO K | NEC |
| 927967 | NE20200 | 12 GHz, y ultra bajo ruido banda K FET unión hetero | NEC |
| 927968 | NE20200-1.4 | 12 GHz, y ultra bajo ruido banda K FET unión hetero | NEC |
| 927969 | NE20248 | Fet ULTRA BAJO De la ENSAMBLADURA De la VENDA HETERO Del RUIDO K | NEC |
| 927970 | NE20283A | Fet ULTRA BAJO De la ENSAMBLADURA De la VENDA HETERO Del RUIDO K | NEC |
| 927971 | NE20283A-1.4 | 12 GHz, y ultra bajo ruido banda K FET unión hetero | NEC |
| 927972 | NE202XX | Fet ULTRA BAJO De la ENSAMBLADURA De la VENDA HETERO Del RUIDO K | NEC |
| 927973 | NE202XX-1.4 | Fet ULTRA BAJO De la ENSAMBLADURA De la VENDA HETERO Del RUIDO K | NEC |
| 927974 | NE20300 | 12 GHz, y de bajo ruido de ultra banda Ku FET unión hetero | NEC |
| 927975 | NE20383A | 12 GHz, y de bajo ruido de ultra banda Ku FET unión hetero | NEC |
| 927976 | NE21800 | VENDA BAJA Gaas MESFET Del RUIDO X | NEC |
| 927977 | NE21800 | VENDA BAJA Gaas MESFET Del RUIDO X | NEC |
| 927978 | NE21889 | VENDA BAJA Gaas MESFET Del RUIDO X | NEC |
| 927979 | NE21889 | VENDA BAJA Gaas MESFET Del RUIDO X | NEC |
| 927980 | NE219 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927981 | NE21900 | 8 GHz, 20 V, el transistor NPN de silicio de alta frecuencia | NEC |
| 927982 | NE21903 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927983 | NE21908 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927984 | NE21912 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927985 | NE21935 | TRANSISTOR DEL SILICIO HI FREQUNCY DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 927986 | NE21935 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927987 | NE21937 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927988 | NE21987 | TRANSISTOR EL DE ALTA FRECUENCIA DEL SILICIO DE NPN | NEC |
| 927989 | NE22100 | TRANSISTOR MEDIO Del Frecuencia-Uhf-vhf de la ENERGÍA de NPN | NEC |
| 927990 | NE22100 | TRANSISTOR MEDIO Del Frecuencia-Uhf-vhf de la ENERGÍA de NPN | NEC |
| 927991 | NE22120 | TRANSISTOR MEDIO Del Frecuencia-Uhf-vhf de la ENERGÍA de NPN | NEC |
| 927992 | NE22120 | TRANSISTOR MEDIO Del Frecuencia-Uhf-vhf de la ENERGÍA de NPN | NEC |
| 927993 | NE23300 | Súper bajo ruido HJ FET (espacio cualificado). | NEC |
| 927994 | NE23383B | Amplificador de bajo ruido de Super. N-canal HJ FET (espacio cualificado). | NEC |
| 927995 | NE24200 | C a la VIRUTA BAJA ESTUPENDA del Hj-hj-fet del N-canal del AMPLIFICADOR del RUIDO de la VENDA de ka | NEC |
| 927996 | NE24283 | Ultra pseudomórfico ruido bajo HJ FET (espacio cualificado). | NEC |
| 927997 | NE25000 | 60 GHz, de alto rendimiento de doble puerta GaAs MESFET | NEC |
| 927998 | NE25118 | GaAS Dual-gate DE FINES GENERALES MESFET | NEC |
| 927999 | NE25118-T1 | GaAS Dual-gate DE FINES GENERALES MESFET | NEC |
| 928000 | NE25137 | PUERTA DUAL DE FINES GENERALES GAAS MESFET | NEC |
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