| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 927961 | NE1619DS | HECETA4 Temperatur-und Spannungsüberwachungs | NXP Semiconductors |
| 927962 | NE2001-VA20 | Nahe Rand thermischem printhead (8 Punkte/Millimeter) | ROHM |
| 927963 | NE2001-VA20A | Thermische Printheads > Fro Plastikkarte > NE200 * -, Reihe 300*-VA.@ | ROHM |
| 927964 | NE2002-VA10A | Thermische Printheads > Fro Plastikkarte > NE200 * -, Reihe 300*-VA.@ | ROHM |
| 927965 | NE2004-VA10A | Thermische Printheads > Fro Plastikkarte > NE200 * -, Reihe 300*-VA.@ | ROHM |
| 927966 | NE202 | ULTRA NIEDRIGER VERZWEIGUNG Fet Der GERÄUSCH-K Des BAND-HETERO | NEC |
| 927967 | NE20200 | 12 GHz, extrem rauscharme K-Band-Heteroübergang-FET | NEC |
| 927968 | NE20200-1.4 | 12 GHz, extrem rauscharme K-Band-Heteroübergang-FET | NEC |
| 927969 | NE20248 | ULTRA NIEDRIGER VERZWEIGUNG Fet Der GERÄUSCH-K Des BAND-HETERO | NEC |
| 927970 | NE20283A | ULTRA NIEDRIGER VERZWEIGUNG Fet Der GERÄUSCH-K Des BAND-HETERO | NEC |
| 927971 | NE20283A-1.4 | 12 GHz, extrem rauscharme K-Band-Heteroübergang-FET | NEC |
| 927972 | NE202XX | ULTRA NIEDRIGER VERZWEIGUNG Fet Der GERÄUSCH-K Des BAND-HETERO | NEC |
| 927973 | NE202XX-1.4 | ULTRA NIEDRIGER VERZWEIGUNG Fet Der GERÄUSCH-K Des BAND-HETERO | NEC |
| 927974 | NE20300 | 12 GHz, extrem rauscharme Ku-Band-Heteroübergang-FET | NEC |
| 927975 | NE20383A | 12 GHz, extrem rauscharme Ku-Band-Heteroübergang-FET | NEC |
| 927976 | NE21800 | NIEDRIGES BAND Gaas MESFET Der GERÄUSCH-X | NEC |
| 927977 | NE21800 | NIEDRIGES BAND Gaas MESFET Der GERÄUSCH-X | NEC |
| 927978 | NE21889 | NIEDRIGES BAND Gaas MESFET Der GERÄUSCH-X | NEC |
| 927979 | NE21889 | NIEDRIGES BAND Gaas MESFET Der GERÄUSCH-X | NEC |
| 927980 | NE219 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927981 | NE21900 | 8 GHz, 20 V, NPN Silizium Hochfrequenz-Transistor | NEC |
| 927982 | NE21903 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927983 | NE21908 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927984 | NE21912 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927985 | NE21935 | TRANSISTOR DES NPN SILIKON-HI FREQUNCY | Advanced Semiconductor |
| 927986 | NE21935 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927987 | NE21937 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927988 | NE21987 | NPN SILIKON-HOCHFREQUENZTRANSISTOR | NEC |
| 927989 | NE22100 | NPN MITTLERER ENERGIE UHF-VHF TRANSISTOR | NEC |
| 927990 | NE22100 | NPN MITTLERER ENERGIE UHF-VHF TRANSISTOR | NEC |
| 927991 | NE22120 | NPN MITTLERER ENERGIE UHF-VHF TRANSISTOR | NEC |
| 927992 | NE22120 | NPN MITTLERER ENERGIE UHF-VHF TRANSISTOR | NEC |
| 927993 | NE23300 | Super Low Noise HJ FET (Platz qualifiziert). | NEC |
| 927994 | NE23383B | Super rauscharmer Verstärker. N-Kanal-FET HJ (Platz qualifiziert). | NEC |
| 927995 | NE24200 | C SUPERSPAN des Ka BAND-ZUM NIEDRIGEN GERÄUSCH-VERSTÄRKER-N-CHANNEL HJ-FET | NEC |
| 927996 | NE24283 | Ultra-geringes Rauschen pseudomorphen HJ FET (Platz qualifiziert). | NEC |
| 927997 | NE25000 | 60 GHz, leistungsstarke Dual-Gate GaAsMESFET | NEC |
| 927998 | NE25118 | UNIVERSELLER ZWECK DUAL-GATE GaAS MESFET | NEC |
| 927999 | NE25118-T1 | UNIVERSELLER ZWECK DUAL-GATE GaAS MESFET | NEC |
| 928000 | NE25137 | UNIVERSELLES DOPPELGATTER GAAS MESFET | NEC |
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