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2N3636 Fabricado cerca: |
1.000W RF PNP metal puede transistor. 175V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N3637, 2N3635, |
Transferencia Directa 2N3636 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 129 kb |
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Transistor de PNP Otros con el mismo archivo para el datasheet: JANS2N3634L, 2N3636L, 2N3637L, JAN2N3634, JAN2N3634L, |
Transferencia Directa 2N3636 datasheet de Microsemi |
pdf 63 kb |
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TRANSISTOR DE FINES GENERALES (SILICIO DE PNP) Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N3634, |
Transferencia Directa 2N3636 datasheet de Boca Semiconductor Corporation |
pdf 223 kb |
2N3635L | Vista 2N3636 a nuestro catálogo | 2N3636L |