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| 2SC3581 Fabricado cerca: | 
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 | 900MW de plomo transistor NPN marco, calificación máxima: 50V VCEO, 400mA Ic, 90-500 hFE. 2SA1399 Complementaria | Transferencia Directa 2SC3581 datasheet de Isahaya Electronics Corporation |
pdf 123 kb |
| 2SC3580 | Vista 2SC3581 a nuestro catálogo | 2SC3582 |