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IRF642 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF641, |
Transferencia Directa IRF642 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 163 kb |
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MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF241, IRF240-243, IRF240, IRF643, IRF242, |
Transferencia Directa IRF642 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 145 kb |
IRF641 | Vista IRF642 a nuestro catálogo | IRF643 |