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| W4NXD8G-0000 Fabricado cerca: | 
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 | Diámetro: 50.8mm; densidad mircopipe standatd; sustratos de carburo de silicio. Para los dispositivos de energía de alta frecuencia, dispositivos de alta potencia, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoelectrónicos, III-V d Otros con el mismo archivo para el datasheet: W6NRD0X-0000, W6PXD3O-0000, W6NXD3L-0000, W6NXD3K-0000, W6NXD3J-0000, |
Transferencia Directa W4NXD8G-0000 datasheet de CREE POWER |
pdf 277 kb |
| W4NXD8D-S000 | Vista W4NXD8G-0000 a nuestro catálogo | W51300 |