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Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
W4NXD8G-0000 Manufaturado perto: |
Diâmetro: 50,8 milímetros; densidade mircopipe standatd; substratos de carbeto de silício. Para dispositivos de alta freqüência de energia, dispositivos de alta potência, dispositivos de alta temperatura, dispositivos optoeletrônico Outros com a mesma lima para o datasheet: W6NRD0X-0000, W6PXD3O-0000, W6NXD3L-0000, W6NXD3K-0000, W6NXD3J-0000, |
Pdf da folha de dados do download W4NXD8G-0000 datasheet do CREE POWER |
pdf 277 kb |
W4NXD8D-S000 | Vista W4NXD8G-0000 a nosso catálogo | W51300 |