| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 28201 | MGB15N35CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28202 | MGB15N35CLT4 | Ignición IGBT 15 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28203 | MGB15N40CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 410 Voltios | ON Semiconductor |
| 28204 | MGB15N40CLT4 | Ignición IGBT 15 Amperios, 410 Voltios | ON Semiconductor |
| 28205 | MGB19N35CL | Ignición IGBT 19 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28206 | MGB19N35CLT4 | Ignición IGBT 19 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28207 | MGC15N35CL | N-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBT | ON Semiconductor |
| 28208 | MGC15N40CL | N-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBT | ON Semiconductor |
| 28209 | MGP11N60E-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28210 | MGP11N60ED | En-voltaje BAJO CLASIFICADO del CIRCUITO CORTO | ON Semiconductor |
| 28211 | MGP11N60ED-D | Transistor bipolar aislado de la puerta con la puerta de silicio Contra-Paralela del Realce-Modo del N-Canal del diodo | ON Semiconductor |
| 28212 | MGP14N60E-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28213 | MGP15N35CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28214 | MGP15N35CL-D | Ignición IGBT 15 amperios, 350 voltios de N-Canal To-220 y D2PAK | ON Semiconductor |
| 28215 | MGP15N38CL | N-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBT | ON Semiconductor |
| 28216 | MGP15N38CL-D | Ignición IGBT 15 amperios, 380 voltios de N-Canal To-220 y D2PAK | ON Semiconductor |
| 28217 | MGP15N40CL | Ignición IGBT 15 Amperios, 410 Voltios | ON Semiconductor |
| 28218 | MGP15N40CL-D | Ignición IGBT 15 amperios, 410 voltios de N-Canal To-220 y D2PAK | ON Semiconductor |
| 28219 | MGP15N43CL | N-Canal Internamente Afianzado Con abrazadera IGBT | ON Semiconductor |
| 28220 | MGP15N43CL-D | Ignición IGBT 15 amperios, 430 voltios de N-Canal To-220 y D2PAK | ON Semiconductor |
| 28221 | MGP15N60U-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28222 | MGP19N35CL | Ignición IGBT 19 Amperios, 350 Voltios | ON Semiconductor |
| 28223 | MGP19N35CL-D | Ignición IGBT 19 amperios, 350 voltios de N-Canal To-220 y D2PAK | ON Semiconductor |
| 28224 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28225 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28226 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES Internamente Afianzado Con abrazadera, N-Canal IGBT | ON Semiconductor |
| 28227 | MGP20N60U-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28228 | MGP21N60E-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28229 | MGP4N60E-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28230 | MGP4N60ED | Transistor bipolar aislado de la puerta con el diodo Contra-Paralelo | ON Semiconductor |
| 28231 | MGP4N60ED-D | Transistor bipolar aislado de la puerta con la puerta de silicio Contra-Paralela del Realce-Modo del N-Canal del diodo | ON Semiconductor |
| 28232 | MGP7N60E-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28233 | MGP7N60ED | Diodo Contra-Paralelo aislado del withr bipolar del transistor de la puerta | ON Semiconductor |
| 28234 | MGP7N60ED-D | Transistor bipolar aislado de la puerta con la puerta de silicio Contra-Paralela del Realce-Modo del N-Canal del diodo | ON Semiconductor |
| 28235 | MGS05N60D-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28236 | MGS13002D | Transistor bipolar de puerta aislada N-Canal | ON Semiconductor |
| 28237 | MGS13002D-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28238 | MGSF1N02EL | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28239 | MGSF1N02ELT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28240 | MGSF1N02ELT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 750, 20 voltios de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28241 | MGSF1N02ELT1G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28242 | MGSF1N02ELT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28243 | MGSF1N02L | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28244 | MGSF1N02LT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28245 | MGSF1N02LT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 750, 20 voltios de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28246 | MGSF1N02LT1G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28247 | MGSF1N02LT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28248 | MGSF1N03L | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 30 voltios | ON Semiconductor |
| 28249 | MGSF1N03LT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 30 voltios | ON Semiconductor |
| 28250 | MGSF1N03LT1G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 30 voltios | ON Semiconductor |
| 28251 | MGSF1N03LT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 30 voltios | ON Semiconductor |
| 28252 | MGSF1N03LT3G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 30 voltios | ON Semiconductor |
| 28253 | MGSF1P02EL | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28254 | MGSF1P02EL | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28255 | MGSF1P02ELT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28256 | MGSF1P02ELT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28257 | MGSF1P02ELT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 750, 20 voltios de P-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28258 | MGSF1P02ELT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28259 | MGSF1P02ELT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28260 | MGSF1P02L | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28261 | MGSF1P02LT1 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28262 | MGSF1P02LT1-D | Accione los mAmps del MOSFET 750, 20 voltios de P-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28263 | MGSF1P02LT1G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28264 | MGSF1P02LT3 | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28265 | MGSF1P02LT3G | MAmps del MOSFET 750 de la energía, 20 voltios | ON Semiconductor |
| 28266 | MGSF2N02E | 2.8 Amperios, 20 Voltios, N−Channel SOT−23 | ON Semiconductor |
| 28267 | MGSF2N02EL | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28268 | MGSF2N02EL-D | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios De N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 28269 | MGSF2N02ELT1 | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28270 | MGSF2N02ELT1G | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28271 | MGSF2N02ELT3 | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28272 | MGSF2N02ELT3G | Mosfet De la Energía 2,8 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28273 | MGSF2P02HD | Mosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28274 | MGSF2P02HD-D | Mosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios De P-Canal Tsop-6 | ON Semiconductor |
| 28275 | MGSF2P02HDT1 | Mosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28276 | MGSF2P02HDT3 | Mosfet De la Energía 2 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28277 | MGSF3441VT1 | OBSOLETO - REPUESTO P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28278 | MGSF3441VT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del P-Canal | ON Semiconductor |
| 28279 | MGSF3441XT1 | OBSOLETO - REPUESTO P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28280 | MGSF3441XT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del P-Canal | ON Semiconductor |
| 28281 | MGSF3442VT1 | OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 4 Amperios, 20 Voltios | ON Semiconductor |
| 28282 | MGSF3442VT1-D | Mosfet De la Energía 4 Amperios, 20 Voltios De N-Canal Tsop-6 | ON Semiconductor |
| 28283 | MGSF3442XT1 | MOSFET Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 28284 | MGSF3442XT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del N-Canal | ON Semiconductor |
| 28285 | MGSF3454VT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del N-Canal | ON Semiconductor |
| 28286 | MGSF3454XT1 | MOSFET Single N-Channel | ON Semiconductor |
| 28287 | MGSF3454XT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del N-Canal | ON Semiconductor |
| 28288 | MGSF3455VT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del P-Canal | ON Semiconductor |
| 28289 | MGSF3455XT1 | Soltero MOSFET P-Canal | ON Semiconductor |
| 28290 | MGSF3455XT1-D | Los MOSFETs Small-Signal Bajos TMOS De Rds(on) Escogen Los Transistores De Efecto De Campo Del P-Canal | ON Semiconductor |
| 28291 | MGW12N120 | Transistor bipolar de puerta aislada N-Canal | ON Semiconductor |
| 28292 | MGW12N120-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28293 | MGW12N120D | Transistor bipolar de puerta aislada con Anti-Parallel Diodo N-Canal | ON Semiconductor |
| 28294 | MGW12N120D-D | Transistor bipolar aislado de la puerta con la puerta de silicio Contra-Paralela del Realce-Modo del N-Canal del diodo | ON Semiconductor |
| 28295 | MGW14N60ED | Transistor Bipolar Aislado De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28296 | MGW14N60ED-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28297 | MGW20N120 | OBSOLETO - Insulated Gate Bipolar Transistor de N-Canal | ON Semiconductor |
| 28298 | MGW20N120-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28299 | MGW21N60ED-D | Puerta De Silicio Bipolar Aislada Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De la Puerta | ON Semiconductor |
| 28300 | MGY20N120D | Transistor bipolar de puerta aislada con Anti-Parallel Diodo N-Canal | ON Semiconductor |
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