| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 30901 | MSD42WT1G | Transistor De alto voltaje De fines generales Del Silicio de NPN | ON Semiconductor |
| 30902 | MSD42WT1G | Transistor De alto voltaje De fines generales Del Silicio de NPN | ON Semiconductor |
| 30903 | MSD601-R | Plástico Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 30904 | MSD601-RT1 | Plástico Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 30905 | MSD601-RT1-D | Montaje De fines generales De la Superficie De los Transistores Del Amplificador de NPN | ON Semiconductor |
| 30906 | MSD601-RT1G | Plástico Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 30907 | MSD601-RT2 | Amplificador de uso general de transistor NPN | ON Semiconductor |
| 30908 | MSD601-S | Montaje De fines generales De la Superficie De los Transistores Del Amplificador de NPN | ON Semiconductor |
| 30909 | MSD601-ST1 | Montaje De fines generales De la Superficie De los Transistores Del Amplificador de NPN | ON Semiconductor |
| 30910 | MSD602-RT1 | Plástico Pequeño NPN De la Señal | ON Semiconductor |
| 30911 | MSD602-RT1-D | Montaje De fines generales De la Superficie Del Transistor Del Amplificador de NPN | ON Semiconductor |
| 30912 | MSD602-RT2 | Amplificador de uso general de transistor NPN | ON Semiconductor |
| 30913 | MSD6100 | Diodo Dual Del Interruptor De la Señal Pequeña | ON Semiconductor |
| 30914 | MSD6100-D | Cátodo Dual Del Campo común Del Diodo De la Conmutación | ON Semiconductor |
| 30915 | MSD6100RLRA | Diodo Dual Del Interruptor De la Señal Pequeña | ON Semiconductor |
| 30916 | MSD6150 | Diodo Dual conmutación ánodo común | ON Semiconductor |
| 30917 | MSD6150-D | Ánodo Dual Del Campo común Del Diodo | ON Semiconductor |
| 30918 | MSQA6V1W5 | Arsenal del cuadrángulo para la protección de ESD | ON Semiconductor |
| 30919 | MSQA6V1W5T2 | Arsenal del cuadrángulo para la protección de ESD | ON Semiconductor |
| 30920 | MSQA6V1W5T2-D | Arsenal del cuadrángulo para la protección de ESD | ON Semiconductor |
| 30921 | MSR1560 | Rectificador Suave De la Recuperación Del 1Ä 600V | ON Semiconductor |
| 30922 | MSR1560-D | Rectificador Suave De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30923 | MSR860 | Rectificador Suave De la Recuperación De Å 600V | ON Semiconductor |
| 30924 | MSR860 | Rectificador Suave De la Recuperación De Å 600V | ON Semiconductor |
| 30925 | MSR860-D | Paquete Plástico To-220 De la Recuperación de SWITCHMODEE Del Rectificador Suave De la Energía | ON Semiconductor |
| 30926 | MSRB860-1-D | Plomo Recto Suave Del Rectificador D2pak-sl De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30927 | MSRD620CT | Rectificador Suave De à 200V Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30928 | MSRD620CT-D | Paquete Plástico Ultrafast De la Recuperación de SWITCHMODE Del Rectificador Suave DPAK De la Energía | ON Semiconductor |
| 30929 | MSRD620CT/D | Rectificador Suave De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30930 | MSRD620CTG | Rectificador Suave De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30931 | MSRD620CTR | SWITCHMODE suave ultrarrápido de recuperación inversa de la polaridad de alimentación del rectificador | ON Semiconductor |
| 30932 | MSRD620CTT4 | Rectificador Suave De à 200V Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30933 | MSRD620CTT4G | Rectificador Suave De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE Ultrafast | ON Semiconductor |
| 30934 | MSRP10040 | Conmutada Soft Power Recovery rectificador | ON Semiconductor |
| 30935 | MSRP10040-D | Paquete Suave Del Rectificador POWERTAP III De la Energía De la Recuperación de SWITCHMODE | ON Semiconductor |
| 30936 | MTB10N40E | 10 D2PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 400 | ON Semiconductor |
| 30937 | MTB10N40E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30938 | MTB10N60E7 | TMOS 7 E-fet™ Fet De la Energía De la Alta Energía | ON Semiconductor |
| 30939 | MTB10N60E7-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal del Fet De la Energía De la Alta Energía E-E-fet de TMOS 7 | ON Semiconductor |
| 30940 | MTB10N60E7T4 | TMOS 7 E-fet™ Fet De la Energía De la Alta Energía | ON Semiconductor |
| 30941 | MTB1306 | OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios, de nivel lógico | ON Semiconductor |
| 30942 | MTB1306-D | Mosfet De la Energía 75 Amperios, 30 Voltios, N-Canal Llano D2PAK De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30943 | MTB15N06V | 15 A D2PAK N-Channel MOSFET, el VDSS 60 | ON Semiconductor |
| 30944 | MTB15N06V-D | Transistor de efecto de campo de la energía de TMOS V D2PAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30945 | MTB16N25E | 16 D2PAK Amp Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 250 | ON Semiconductor |
| 30946 | MTB16N25E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para el montaje superficial | ON Semiconductor |
| 30947 | MTB20N20E | OBSOLETOS - Mosfet De la Energía 20 Amperios, 200 Voltios | ON Semiconductor |
| 30948 | MTB20N20E-D | Mosfet De la Energía 20 Amperios, 200 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30949 | MTB23P06V | Mosfet De la Energía 23 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30950 | MTB23P06V-D | Mosfet De la Energía 23 Amperios, 60 Voltios De P-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30951 | MTB23P06VT4 | Mosfet De la Energía 23 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30952 | MTB29N15E | Mosfet De la Energía 29 Amperios, 150 Voltios | ON Semiconductor |
| 30953 | MTB29N15E-D | Mosfet De la Energía 29 Amperios, 150 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30954 | MTB29N15ET4 | Mosfet De la Energía 29 Amperios, 150 Voltios | ON Semiconductor |
| 30955 | MTB2N40E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30956 | MTB2N60E | N-Canal Del Realce-Modo de Silicon Puerta | ON Semiconductor |
| 30957 | MTB2N60E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30958 | MTB2P50E | Fet 500V Los 6.00Ohm De la Energía de TMOS | ON Semiconductor |
| 30959 | MTB2P50E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del P-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30960 | MTB2P50ET4 | Fet 500V Los 6.00Ohm De la Energía de TMOS | ON Semiconductor |
| 30961 | MTB30N06VL | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógico | ON Semiconductor |
| 30962 | MTB30N06VL-D | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano D2PAK De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30963 | MTB30P06V | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30964 | MTB30P06V | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30965 | MTB30P06V-D | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios De P-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30966 | MTB30P06VG | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30967 | MTB30P06VG | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30968 | MTB30P06VT4 | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30969 | MTB30P06VT4 | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30970 | MTB30P06VT4G | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30971 | MTB30P06VT4G | Mosfet De la Energía 30 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30972 | MTB33N10E | Mosfet De la Energía 33 Amperios, 100 Voltios | ON Semiconductor |
| 30973 | MTB33N10E-D | Mosfet De la Energía 33 Amperios, 100 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30974 | MTB36N06V | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30975 | MTB36N06V | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30976 | MTB36N06V-D | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30977 | MTB36N06VT4 | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30978 | MTB36N06VT4 | Mosfet De la Energía 32 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 30979 | MTB3N100E | 2 Amp D2PAK Montaje Superficial Productos, canal N, el VDSS 1000 | ON Semiconductor |
| 30980 | MTB3N100E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30981 | MTB3N120E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30982 | MTB3N60E | D2PAK para montaje en superficie N-Canal Del Realce-Modo de Silicon Puerta | ON Semiconductor |
| 30983 | MTB3N60E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30984 | MTB40N10E | Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios | ON Semiconductor |
| 30985 | MTB40N10E-D | Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| 30986 | MTB40N10ET4 | Mosfet De la Energía 40 Amperios, 100 Voltios | ON Semiconductor |
| 30987 | MTB4N80E | OBSOLETO - 800 V, 4 A, FET DE POTENCIA | ON Semiconductor |
| 30988 | MTB4N80E-D | Fet D2PAK de la energía de la alta energía del E-e-fet de TMOS para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30989 | MTB4N80E1 | OBSOLETO - Canal N Realce-Modo Del Silicio Puerta | ON Semiconductor |
| 30990 | MTB4N80E1-D | Puerta De Silicio Recta Del Realce-Modo Del N-Canal Del Plomo del Fet D2pak-sl De la Energía De la Energía Del E-E-fet de TMOS Alta | ON Semiconductor |
| 30991 | MTB50N06V | MOSFET de potencia 42 A, 60V, D2PAK N-Canal | ON Semiconductor |
| 30992 | MTB50N06V-D | Transistor de efecto de campo de la energía de TMOS V D2PAK para la puerta de silicio superficial del Realce-Modo del N-Canal del montaje | ON Semiconductor |
| 30993 | MTB50N06VL | Mosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, de nivel lógico | ON Semiconductor |
| 30994 | MTB50N06VL-D | Mosfet De la Energía 42 Amperios, 60 Voltios, N-Canal Llano D2PAK De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30995 | MTB50P03HDL | Mosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30996 | MTB50P03HDL-D | Mosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, P-Canal Llano D2PAK De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30997 | MTB50P03HDLT4 | Mosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30998 | MTB50P03HDLT4G | Mosfet De la Energía 50 Amperios, 30 Voltios, Nivel De la Lógica | ON Semiconductor |
| 30999 | MTB52N06V | Mosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios | ON Semiconductor |
| 31000 | MTB52N06V-D | Mosfet De la Energía 52 Amperios, 60 Voltios De N-Canal D2PAK | ON Semiconductor |
| | | |
