No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
256121 | BD236 | 25.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256122 | BD236 | Transistore NPN di potenza al silicio. 2 A, 60 V, 25 W. | Motorola |
256123 | BD236STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256124 | BD237 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256125 | BD237 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | ST Microelectronics |
256126 | BD237 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256127 | BD237 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256128 | BD237 | Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di Alimentazione | Motorola |
256129 | BD237 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256130 | BD237 | Alimentazione À 80V NPN 25W | ON Semiconductor |
256131 | BD237 | 25.000W commutazione NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256132 | BD237-D | Transistore Medio Di plastica Del Silicone NPN Di Alimentazione | ON Semiconductor |
256133 | BD237STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256134 | BD238 | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256135 | BD238 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | ST Microelectronics |
256136 | BD238 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256137 | BD238 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE COMPLEMENTARI DEL SILICONE | SGS Thomson Microelectronics |
256138 | BD238 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
256139 | BD238 | Alimentazione À 80V PNP 25W | ON Semiconductor |
256140 | BD238 | 25.000W di commutazione PNP Transistor plastica piombo. Vceo 80V, 2.000A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
256141 | BD238 | Plastica transistor PNP silicio di media potenza. 2 A, 80 V, 25 W. | Motorola |
256142 | BD238S | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256143 | BD238STU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
256144 | BD239 | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256145 | BD239 | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPN | Power Innovations |
256146 | BD239 | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256147 | BD239 | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
256148 | BD239A | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256149 | BD239A | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPN | Power Innovations |
256150 | BD239A | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256151 | BD239A | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
256152 | BD239ATU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256153 | BD239B | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256154 | BD239B | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPN | Power Innovations |
256155 | BD239B | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 2.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256156 | BD239B | Transistor di potenza Pro elettroni | General Electric Solid State |
256157 | BD239BTU | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256158 | BD239C | Transistore Epitassiale Del Silicone di NPN | Fairchild Semiconductor |
256159 | BD239C | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPN | ST Microelectronics |
256160 | BD239C | TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE DEL SILICONE DI NPN | Power Innovations |
| | | |