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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
268761BSS125Transistore small-Signal di SIPMOS (modo di aumento della scanalatura di N)Siemens
268762BSS125E6288Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268763BSS125E6296Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268764BSS125E6325Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268765BSS125E7732Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268766BSS127SMOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPODiodes
268767BSS127S-7MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPODiodes
268768BSS127SSNMOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPODiodes
268769BSS127SSN-7MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPODiodes
268770BSS129Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268771BSS129Resistenza dinamica small-Signal di modo di svuotamento della scanalatura di SIPMOS Transistor(N alta)Siemens
268772BSS129E6288Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268773BSS129E6296Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268774BSS131MOSFETs Di Bassa Tensione - Piccolo Mosfet Del Segnale, 240V, Sot-23, RDSon=16.0 Ohm, 0.1A, LLInfineon
268775BSS131Transistore small-Signal di SIPMOS (livello di logica di modo di aumento della scanalatura di N)Siemens
268776BSS135Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon
268777BSS135Transistore small-Signal di SIPMOS (resistenza dinamica di modo di svuotamento della scanalatura di N alta)Siemens
268778BSS135E6325Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOSInfineon



268779BSS138Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Del Livello Di Logica Della N-ScanalaturaFairchild Semiconductor
268780BSS138Mosfet Della N-scanalaturaZetex Semiconductors
268781BSS138MOSFETSDiodes
268782BSS138Transistore small-Signal di SIPMOS (livello di logica di modo di aumento della scanalatura di N)Siemens
268783BSS138Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-ScanalaturaChino-Excel Technology
268784BSS138(Z)50V N-CHANNEL AUMENTO VERTICALE MODO DMOS FET IN SOT23Diodes
268785BSS138-7TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di MODO di AUMENTO Della N-scanalaturaDiodes
268786BSS138-7-FMOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODEDiodes
268787BSS138-GMOSFET, V DS = 50V, mi d = 0.22A, P D = 350mWComchip Technology
268788BSS138AKA60 V, MOSFET singolo Trench a canale NNXP Semiconductors
268789BSS138BK60 V, Trench MOSFET a canale N 360 mANXP Semiconductors
268790BSS138BKS60 V, 320 mA MOSFET dual Trench N-channelNXP Semiconductors
268791BSS138BKW60 V, 320 mA MOSFET a canale N TrenchNXP Semiconductors
268792BSS138DWMOSFETSDiodes
268793BSS138DW-7-FDUAL N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO EFFETTO TRANSISTOREDiodes
268794BSS138K50V N-Channel Level Logica Modo Di Aumento Field Effect TransistorFairchild Semiconductor
268795BSS138LMAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 voltON Semiconductor
268796BSS138LT1MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 voltON Semiconductor
268797BSS138LT1-DMAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt di N-Scanalatura Sot-23ON Semiconductor
268798BSS138LT1GMAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 voltON Semiconductor
268799BSS138LT3MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 voltON Semiconductor
268800BSS138LT3GMAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 voltON Semiconductor
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