No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
268761 | BSS125 | Transistore small-Signal di SIPMOS (modo di aumento della scanalatura di N) | Siemens |
268762 | BSS125E6288 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268763 | BSS125E6296 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268764 | BSS125E6325 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268765 | BSS125E7732 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268766 | BSS127S | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO | Diodes |
268767 | BSS127S-7 | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO | Diodes |
268768 | BSS127SSN | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO | Diodes |
268769 | BSS127SSN-7 | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO | Diodes |
268770 | BSS129 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268771 | BSS129 | Resistenza dinamica small-Signal di modo di svuotamento della scanalatura di SIPMOS Transistor(N alta) | Siemens |
268772 | BSS129E6288 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268773 | BSS129E6296 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268774 | BSS131 | MOSFETs Di Bassa Tensione - Piccolo Mosfet Del Segnale, 240V, Sot-23, RDSon=16.0 Ohm, 0.1A, LL | Infineon |
268775 | BSS131 | Transistore small-Signal di SIPMOS (livello di logica di modo di aumento della scanalatura di N) | Siemens |
268776 | BSS135 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268777 | BSS135 | Transistore small-Signal di SIPMOS (resistenza dinamica di modo di svuotamento della scanalatura di N alta) | Siemens |
268778 | BSS135E6325 | Transistore Small-Signal Della N-Scanalatura SIPMOS | Infineon |
268779 | BSS138 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Del Livello Di Logica Della N-Scanalatura | Fairchild Semiconductor |
268780 | BSS138 | Mosfet Della N-scanalatura | Zetex Semiconductors |
268781 | BSS138 | MOSFETS | Diodes |
268782 | BSS138 | Transistore small-Signal di SIPMOS (livello di logica di modo di aumento della scanalatura di N) | Siemens |
268783 | BSS138 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Modo Di Aumento Della N-Scanalatura | Chino-Excel Technology |
268784 | BSS138(Z) | 50V N-CHANNEL AUMENTO VERTICALE MODO DMOS FET IN SOT23 | Diodes |
268785 | BSS138-7 | TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | Diodes |
268786 | BSS138-7-F | MOSFET N-CHANNEL AUMENTO MODE | Diodes |
268787 | BSS138-G | MOSFET, V DS = 50V, mi d = 0.22A, P D = 350mW | Comchip Technology |
268788 | BSS138AKA | 60 V, MOSFET singolo Trench a canale N | NXP Semiconductors |
268789 | BSS138BK | 60 V, Trench MOSFET a canale N 360 mA | NXP Semiconductors |
268790 | BSS138BKS | 60 V, 320 mA MOSFET dual Trench N-channel | NXP Semiconductors |
268791 | BSS138BKW | 60 V, 320 mA MOSFET a canale N Trench | NXP Semiconductors |
268792 | BSS138DW | MOSFETS | Diodes |
268793 | BSS138DW-7-F | DUAL N-CHANNEL AUMENTO MODE CAMPO EFFETTO TRANSISTORE | Diodes |
268794 | BSS138K | 50V N-Channel Level Logica Modo Di Aumento Field Effect Transistor | Fairchild Semiconductor |
268795 | BSS138L | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt | ON Semiconductor |
268796 | BSS138LT1 | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt | ON Semiconductor |
268797 | BSS138LT1-D | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt di N-Scanalatura Sot-23 | ON Semiconductor |
268798 | BSS138LT1G | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt | ON Semiconductor |
268799 | BSS138LT3 | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt | ON Semiconductor |
268800 | BSS138LT3G | MAmps del MOSFET 200 di alimentazione, 50 volt | ON Semiconductor |
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