| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 268761 | BSS125 | Transistor small-Signal de SIPMOS (mode de perfectionnement de canal de N) | Siemens |
| 268762 | BSS125E6288 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268763 | BSS125E6296 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268764 | BSS125E6325 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268765 | BSS125E7732 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268766 | BSS127S | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268767 | BSS127S-7 | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268768 | BSS127SSN | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268769 | BSS127SSN-7 | N-CANAL ENHANCEMENT MODE CHAMP MOSFET | Diodes |
| 268770 | BSS129 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268771 | BSS129 | Résistance dynamique élevée small-Signal de mode d'épuisement de canal de SIPMOS Transistor(N) | Siemens |
| 268772 | BSS129E6288 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268773 | BSS129E6296 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268774 | BSS131 | Transistors MOSFET De Basse Tension - Petit Transistor MOSFET De Signal, 240V, Sot-23, RDSon=16.0 Ohm, 0.1A, LL | Infineon |
| 268775 | BSS131 | Transistor small-Signal de SIPMOS (niveau de logique de mode de perfectionnement de canal de N) | Siemens |
| 268776 | BSS135 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268777 | BSS135 | Transistor small-Signal de SIPMOS (résistance dynamique élevée de mode d'épuisement de canal de N) | Siemens |
| 268778 | BSS135E6325 | Transistor De Petit-Signal Du N-Canal SIPMOS | Infineon |
| 268779 | BSS138 | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De Niveau De Logique De N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 268780 | BSS138 | Transistor MOSFET De N-canal | Zetex Semiconductors |
| 268781 | BSS138 | TRANSISTORS MOSFET | Diodes |
| 268782 | BSS138 | Transistor small-Signal de SIPMOS (niveau de logique de mode de perfectionnement de canal de N) | Siemens |
| 268783 | BSS138 | Transistor à effet de champ De Mode De Perfectionnement De N-Canal | Chino-Excel Technology |
| 268784 | BSS138(Z) | FET 50V N-CANAL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS EN SOT23 | Diodes |
| 268785 | BSS138-7 | TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP de MODE de PERFECTIONNEMENT De N-canal | Diodes |
| 268786 | BSS138-7-F | N-CANAL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Diodes |
| 268787 | BSS138-G | MOSFET, V DS = 50V, je D = 0.22A, P D = 350mW | Comchip Technology |
| 268788 | BSS138AKA | 60 V, N-canal Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
| 268789 | BSS138BK | 60 V, 360 mA à canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268790 | BSS138BKS | 60 V, 320 mA double canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268791 | BSS138BKW | 60 V, 320 mA à canal N MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268792 | BSS138DW | TRANSISTORS MOSFET | Diodes |
| 268793 | BSS138DW-7-F | DUAL N-CHANNEL MODE De PERFECTIONNEMENT EFFET DE CHAMP | Diodes |
| 268794 | BSS138K | 50V N-Channel Effet de niveau logique de mode de perfectionnement de terrain Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 268795 | BSS138L | MAmps du transistor MOSFET 200 de puissance, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268796 | BSS138LT1 | MAmps du transistor MOSFET 200 de puissance, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268797 | BSS138LT1-D | Actionnez les mAmps du transistor MOSFET 200, 50 volts de N-Canal Sot-23 | ON Semiconductor |
| 268798 | BSS138LT1G | MAmps du transistor MOSFET 200 de puissance, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268799 | BSS138LT3 | MAmps du transistor MOSFET 200 de puissance, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268800 | BSS138LT3G | MAmps du transistor MOSFET 200 de puissance, 50 volts | ON Semiconductor |
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