| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 268761 | BSS125 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268762 | BSS125E6288 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268763 | BSS125E6296 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268764 | BSS125E6325 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268765 | BSS125E7732 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268766 | BSS127S | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO MOSFET | Diodes |
| 268767 | BSS127S-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO MOSFET | Diodes |
| 268768 | BSS127SSN | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO MOSFET | Diodes |
| 268769 | BSS127SSN-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO MOSFET | Diodes |
| 268770 | BSS129 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268771 | BSS129 | Resistência dinâmica elevada da modalidade de depletion da canaleta de Transistor(N do Pequeno-Sinal de SIPMOS) | Siemens |
| 268772 | BSS129E6288 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268773 | BSS129E6296 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268774 | BSS131 | MOSFETs Da Baixa Tensão - Mosfet Pequeno Do Sinal, 240V, SOT-23, RDSon=16.0 Ohm, 0.1A, LL | Infineon |
| 268775 | BSS131 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (nível da lógica da modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268776 | BSS135 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268777 | BSS135 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (resistência dinâmica elevada da modalidade de depletion da canaleta de N) | Siemens |
| 268778 | BSS135E6325 | Transistor Do Pequeno-Sinal Da N-Canaleta SIPMOS | Infineon |
| 268779 | BSS138 | Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Do Nível Da Lógica Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 268780 | BSS138 | Mosfet Da N-canaleta | Zetex Semiconductors |
| 268781 | BSS138 | MOSFETS | Diodes |
| 268782 | BSS138 | Transistor do Pequeno-Sinal de SIPMOS (nível da lógica da modalidade do realce da canaleta de N) | Siemens |
| 268783 | BSS138 | Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | Chino-Excel Technology |
| 268784 | BSS138(Z) | 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT modo vertical DMOS FET IN SOT23 | Diodes |
| 268785 | BSS138-7 | TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | Diodes |
| 268786 | BSS138-7-F | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO MOSFET | Diodes |
| 268787 | BSS138-G | MOSFET, V DS = 50V, I D = 0.22A, P D = 350mW | Comchip Technology |
| 268788 | BSS138AKA | 60 V, único MOSFET Trench N-channel | NXP Semiconductors |
| 268789 | BSS138BK | 60 V, 360 mA N-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268790 | BSS138BKS | 60 V, 320 mA dupla N-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268791 | BSS138BKW | 60 V, 320 mA N-channel MOSFET Trench | NXP Semiconductors |
| 268792 | BSS138DW | MOSFETS | Diodes |
| 268793 | BSS138DW-7-F | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODO DE CAMPO transistor de efeito | Diodes |
| 268794 | BSS138K | 50V N-Channel Logic Nível Enhancement Modo de Efeito de Campo Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 268795 | BSS138L | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268796 | BSS138LT1 | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268797 | BSS138LT1-D | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts de N-Canaleta SOT-23 | ON Semiconductor |
| 268798 | BSS138LT1G | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268799 | BSS138LT3 | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| 268800 | BSS138LT3G | MAmps do MOSFET 200 do poder, 50 volts | ON Semiconductor |
| | | |
