| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 35361 | 1SS223-T1B | Diodo di commutazione del silicone | NEC |
| 35362 | 1SS223-T2B | Diodo di commutazione del silicone | NEC |
| 35363 | 1SS226 | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35364 | 1SS244 | Diodi > diodi di commutazione > tipo al piombo | ROHM |
| 35365 | 1SS250 | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35366 | 1SS265 | 35 V, commutazione di banda diodo | Leshan Radio Company |
| 35367 | 1SS268 | APPLICAZIONI DELL'CInterruttore DELLA FASCIA DEL SINTONIZZATORE DI VHF DEL DIODO | TOSHIBA |
| 35368 | 1SS269 | APPLICAZIONI DELL'CInterruttore DELLA FASCIA DEL SINTONIZZATORE DI VHF DEL DIODO | TOSHIBA |
| 35369 | 1SS270 | Piccolo Segnale | Hitachi Semiconductor |
| 35370 | 1SS270 | DIODI DI COMMUTAZIONE | Leshan Radio Company |
| 35371 | 1SS270 | Diodes>Switching | Renesas |
| 35372 | 1SS270A | Piccolo Segnale | Hitachi Semiconductor |
| 35373 | 1SS270A | Diodes>Switching | Renesas |
| 35374 | 1SS271 | APPLICAZIONE EPITASSIALE DEL MISCELATORE DEL TIPO VHF~uhf DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY DEL SILICONE DEL DIODO | TOSHIBA |
| 35375 | 1SS272 | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35376 | 1SS286 | Diodi di barriera dello Schottky per rilevazione ed il miscelatore | Hitachi Semiconductor |
| 35377 | 1SS286 | Diodes>Switching | Renesas |
| 35378 | 1SS293 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Di Schottoky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35379 | 1SS294 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Di Schottoky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35380 | 1SS295 | APPLICAZIONI A FREQUENZA ULTRAELEVATA DEL MISCELATORE DELLA FASCIA DELLO SCHOTTKY DEL SILICONE DEL DIODO DEL TIPO EPITASSIALE DELLA BARRIERA | TOSHIBA |
| 35381 | 1SS300 | Applicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35382 | 1SS301 | Applicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35383 | 1SS302 | Applicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35384 | 1SS303 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35385 | 1SS303-T1 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35386 | 1SS303-T2 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35387 | 1SS304 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35388 | 1SS304-T1 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35389 | 1SS304-T2 | Diodo di commutazione | NEC |
| 35390 | 1SS305 | Diodo di commutazione del silicone | NEC |
| 35391 | 1SS305-T1 | Diodo di commutazione del silicone | NEC |
| 35392 | 1SS305-T2 | Diodo di commutazione del silicone | NEC |
| 35393 | 1SS306 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Tipo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
| 35394 | 1SS307 | General Planare Epitassiale Puropose Rectifier Applications Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35395 | 1SS308 | Applicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35396 | 1SS309 | Applicazioni Ultra Ad alta velocitą Planari Epitassiali Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| 35397 | 1SS311 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Tipo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
| 35398 | 1SS312 | APPLICAZIONI DELL'CInterruttore DELLA FASCIA DEL SINTONIZZATORE DI VHF DEL DIODO | TOSHIBA |
| 35399 | 1SS313 | APPLICAZIONI DELL'CInterruttore DELLA FASCIA DEL SINTONIZZATORE DI VHF DEL DIODO | TOSHIBA |
| 35400 | 1SS314 | Applicazioni Planari Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Del Sintonizzatore di VHF Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
| | | |
