No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
35441 | 1SS370 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Tipo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
35442 | 1SS372 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35443 | 1SS373 | DIODO (APPLICAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI COMMUTAZIONE) | TOSHIBA |
35444 | 1SS374 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35445 | 1SS375 | VHF, rivelatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA e diodo di barriera dello Schottky di applicazioni del miscelatore | SANYO |
35446 | 1SS376 | Diodo di commutazione | ROHM |
35447 | 1SS377 | Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35448 | 1SS378 | Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Planare Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35449 | 1SS379 | Applicazioni Per tutti gli usi Di Raddrizzatore Del Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35450 | 1SS380 | Diodi > diodi di commutazione > tipo del montaggio di superficie | ROHM |
35451 | 1SS381 | Applicazioni Planari Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Del Sintonizzatore di VHF Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35452 | 1SS382 | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35453 | 1SS383 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35454 | 1SS383 | 40V Si raddoppiano Diodo Dello Schottky | ON Semiconductor |
35455 | 1SS383T1G | 40V Si raddoppiano Diodo Dello Schottky | ON Semiconductor |
35456 | 1SS383T2G | 40V Si raddoppiano Diodo Dello Schottky | ON Semiconductor |
35457 | 1SS384 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35458 | 1SS385 | Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35459 | 1SS385F | Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35460 | 1SS385FV | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35461 | 1SS387 | Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35462 | 1SS387CT | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
35463 | 1SS388 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35464 | 1SS389 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35465 | 1SS390 | Diodi > diodi di commutazione ad alta frequenza della fascia > dei diodi | ROHM |
35466 | 1SS391 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35467 | 1SS392 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35468 | 1SS393 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35469 | 1SS394 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35470 | 1SS395 | Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35471 | 1SS396 | Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35472 | 1SS397 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
35473 | 1SS398 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
35474 | 1SS399 | Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione | TOSHIBA |
35475 | 1SS400 | Diodi > diodi di commutazione > tipo del montaggio di superficie | ROHM |
35476 | 1SS400 | Diodo di commutazione | Leshan Radio Company |
35477 | 1SS400-G | Diodi piccolo segnale di commutazione, V RRM = 90V, V R = 90V, P D = 150mW, mi F = 100 mA | Comchip Technology |
35478 | 1SS400T1 | Diodo di commutazione ad alta velocitą | ON Semiconductor |
35479 | 1SS401 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35480 | 1SS402 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
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