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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
354411SS370Alta tensione Planare Epitassiale Del Tipo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
354421SS372Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354431SS373DIODO (APPLICAZIONE AD ALTA VELOCITĄ DI COMMUTAZIONE)TOSHIBA
354441SS374Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354451SS375VHF, rivelatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA e diodo di barriera dello Schottky di applicazioni del miscelatoreSANYO
354461SS376Diodo di commutazioneROHM
354471SS377Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354481SS378Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Planare Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354491SS379Applicazioni Per tutti gli usi Di Raddrizzatore Del Tipo Planare Epitassiale Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354501SS380Diodi > diodi di commutazione > tipo del montaggio di superficieROHM
354511SS381Applicazioni Planari Epitassiali Dell'Interruttore Della Fascia Del Sintonizzatore di VHF Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354521SS382Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354531SS383Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354541SS38340V Si raddoppiano Diodo Dello SchottkyON Semiconductor
354551SS383T1G40V Si raddoppiano Diodo Dello SchottkyON Semiconductor
354561SS383T2G40V Si raddoppiano Diodo Dello SchottkyON Semiconductor
354571SS384Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354581SS385Commutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354591SS385FCommutazione Ad alta velocitą Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA



354601SS385FVPiccolo segnale Diodo a barriera SchottkyTOSHIBA
354611SS387Applicazione Ultra Ad alta velocitą Planare Epitassiale Di Commutazione Del Tipo Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354621SS387CTDiodo di commutazioneTOSHIBA
354631SS388Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354641SS389Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354651SS390Diodi > diodi di commutazione ad alta frequenza della fascia > dei diodiROHM
354661SS391Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354671SS392Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354681SS393Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354691SS394Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354701SS395Applicazione Ad alta velocitą Di Commutazione Dello Schottky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354711SS396Commutazione Ad alta velocitą Epitassiale Di Bassa Tensione Del Tipo Della Barriera Dello Schottky Del Silicone Del DiodoTOSHIBA
354721SS397Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
354731SS398Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
354741SS399Alta tensione Planare Epitassiale Del Diodo Del Silicone Del Diodo, Applicazioni Ad alta velocitą Di CommutazioneTOSHIBA
354751SS400Diodi > diodi di commutazione > tipo del montaggio di superficieROHM
354761SS400Diodo di commutazioneLeshan Radio Company
354771SS400-GDiodi piccolo segnale di commutazione, V RRM = 90V, V R = 90V, P D = 150mW, mi F = 100 mAComchip Technology
354781SS400T1Diodo di commutazione ad alta velocitąON Semiconductor
354791SS401Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
354801SS402Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della BarrieraTOSHIBA
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