No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
35481 | 1SS403 | Applicazioni Ad alta tensione Di Commutazione Di Schottoky Del Silicone Del Diodo Del Tipo Epitassiale Della Barriera | TOSHIBA |
35482 | 1SS404 | Applicazioni Ad alta velocitą Di Commutazione Del Tipo Epitassiale Di Shottlky Barrire Del Silicone Del Diodo | TOSHIBA |
35483 | 1SS405 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35484 | 1SS406 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35485 | 1SS412 | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
35486 | 1SS413 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35487 | 1SS413CT | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35488 | 1SS416 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35489 | 1SS416CT | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35490 | 1SS417 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35491 | 1SS417CT | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35492 | 1SS418 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35493 | 1SS419 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35494 | 1SS420 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35495 | 1SS420CT | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35496 | 1SS421 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35497 | 1SS422 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35498 | 1SS423 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35499 | 1SS424 | Piccolo segnale Diodo a barriera Schottky | TOSHIBA |
35500 | 1SS426 | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
35501 | 1SS427 | Diodo di commutazione | TOSHIBA |
35502 | 1SS81 | Piccolo Segnale | Hitachi Semiconductor |
35503 | 1SS81 | Diodes>Switching | Renesas |
35504 | 1SS82 | Piccolo Segnale | Hitachi Semiconductor |
35505 | 1SS82 | Diodes>Switching | Renesas |
35506 | 1SS83 | Piccolo Segnale | Hitachi Semiconductor |
35507 | 1SS83 | Diodes>Switching | Renesas |
35508 | 1SS86 | Diodi di barriera dello Schottky per rilevazione ed il miscelatore | Hitachi Semiconductor |
35509 | 1SS86 | Diodes>Switching | Renesas |
35510 | 1SS88 | Diodi di barriera dello Schottky per rilevazione ed il miscelatore | Hitachi Semiconductor |
35511 | 1SS88 | Diodes>Switching | Renesas |
35512 | 1SS92 | (1SS93/1ss94) Diodi Ultraelevati Planari Epitassiali Di Commutazione Di Velocitą Del Silicone | ROHM |
35513 | 1SV100 | DIODO VARIABILE DI CAPACITĄ DEL TIPO PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE | TOSHIBA |
35514 | 1SV100 | Silicio epitassiale di tipo planare capacitą variabile a diodi. | Panasonic |
35515 | 1SV101 | APPLICAZIONI PLANARI EPITASSIALI DEL SINTONIZZATORE DEL TIPO FM DI CAPACITĄ DEL SILICONE VARIABILE DEL DIODO | TOSHIBA |
35516 | 1SV101 | Silicio epitassiale di tipo planare capacitą variabile a diodi. | Panasonic |
35517 | 1SV102 | APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DEL TIPO DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DI | TOSHIBA |
35518 | 1SV102 | Silicio epitassiale di tipo planare capacitą variabile a diodi. | Panasonic |
35519 | 1SV103 | APPLICAZIONI DI SINTONIA DI CAPACITĄ DEL DIODO DEL SILICONE DELLA FASCIA RADIOFONICA PLANARE EPITASSIALE VARIABILE DEL TIPO FM | TOSHIBA |
35520 | 1SV103 | Silicio epitassiale di tipo planare capacitą variabile a diodi. | Panasonic |
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