| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 48801 | 2N6430 | 0.500W General Purpose NPN metallo può transistor. 200V Vceo, 0.050A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 48802 | 2N6431 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48803 | 2N6432 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48804 | 2N6433 | Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del Segnale | Central Semiconductor |
| 48805 | 2N6436 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48806 | 2N6436 | TRANSISTORI del SILICONE di PNP Ad alta potenza | Boca Semiconductor Corporation |
| 48807 | 2N6437 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48808 | 2N6437 | TRANSISTORI del SILICONE di PNP Ad alta potenza | Boca Semiconductor Corporation |
| 48809 | 2N6437 | SILICONE DEI TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE PNP | ON Semiconductor |
| 48810 | 2N6437-D | Transistori Ad alta potenza Del Silicone di PNP | ON Semiconductor |
| 48811 | 2N6438 | ALIMENTAZIONE TRANSISTORS(2ä, 200w) | MOSPEC Semiconductor |
| 48812 | 2N6438 | TRANSISTORI del SILICONE di PNP Ad alta potenza | Boca Semiconductor Corporation |
| 48813 | 2N6438 | SILICONE DEI TRANSISTORI DI ALIMENTAZIONE PNP | ON Semiconductor |
| 48814 | 2N6439 | TRANSISTORE DI ALIMENTAZIONE | Tyco Electronics |
| 48815 | 2N6439 | 60 W, 225 - 400 SILICONE A BANDA LARGA del TRANSISTORE di ALIMENTAZIONE del °Q± CONTROLLATO rf di megahertz NPN | Motorola |
| 48816 | 2N6439 | 60 W, transistor di potenza NPN RF silicio | MA-Com |
| 48817 | 2N6449 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48818 | 2N6449 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48819 | 2N6450 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48820 | 2N6450 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48821 | 2N6451 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48822 | 2N6452 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48823 | 2N6453 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48824 | 2N6453 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48825 | 2N6454 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48826 | 2N6454 | Transistore Di Field-Effect Della Giunzione Del Silicone Della N-Scanalatura | InterFET Corporation |
| 48827 | 2N6461 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
| 48828 | 2N6462 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
| 48829 | 2N6462 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
| 48830 | 2N6463 | Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO39 | SemeLAB |
| 48831 | 2N6464 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
| 48832 | 2N6465 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48833 | 2N6465 | Dispositivo Bipolare di NPN | SemeLAB |
| 48834 | 2N6466 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48835 | 2N6467 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48836 | 2N6467 | Dispositivo Bipolare di PNP | SemeLAB |
| 48837 | 2N6467 | Silicone PNP transistor di media potenza. -110V, 40W. | General Electric Solid State |
| 48838 | 2N6468 | Dispositivo Bipolare di PNP | SemeLAB |
| 48839 | 2N6468 | Uso generale Al piombo Del Transistore Di Alimentazione | Central Semiconductor |
| 48840 | 2N6468 | Silicone PNP transistor di media potenza. -130V, 40W. | General Electric Solid State |
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