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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
569321IRFF113Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.0A corrente.General Electric Solid State
569322IRFF113Canale N cancello valorizzazione modalità di silicio TMOS piccolo segnale transistore ad effetto di campo.Motorola
569323IRFF120100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569324IRFF120Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 6.0A/0,300 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569325IRFF120Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 6.0A corrente.General Electric Solid State
569326IRFF121Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 50V. Scarico in continuo 6.0A corrente.General Electric Solid State
569327IRFF122Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 5.0A corrente.General Electric Solid State
569328IRFF123Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 5.0A corrente.General Electric Solid State
569329IRFF130100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569330IRFF130Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 8.0A/0,180 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569331IRFF130Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 8.0A corrente.General Electric Solid State
569332IRFF131Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 8.0A corrente.General Electric Solid State
569333IRFF132Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 7.0A corrente.General Electric Solid State
569334IRFF133Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 7.0A corrente.General Electric Solid State
569335IRFF210200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569336IRFF210Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 2.À/1,500 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569337IRFF220200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569338IRFF220Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 3.Ä/0,800 Ohm/N-ScanalaturaIntersil



569339IRFF230200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569340IRFF230Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 5.Ä/0,400 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569341IRFF310400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569342IRFF310Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 1.3Ä/3,600 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569343IRFF310Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.General Electric Solid State
569344IRFF311Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.General Electric Solid State
569345IRFF312Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V.General Electric Solid State
569346IRFF313Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V.General Electric Solid State
569347IRFF320400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569348IRFF320Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 2.Ä/1,800 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569349IRFF330400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569350IRFF330Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 3.Ä/1,000 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569351IRFF420500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569352IRFF420Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalaturaSemeLAB
569353IRFF420Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 1.Ã/3,000 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569354IRFF430500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569355IRFF430Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 2.7Ä/1,500 Ohm/N-ScanalaturaIntersil
569356IRFF9024-60V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569357IRFF9110-100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569358IRFF9120-100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
569359IRFF9120Mosfet Di Alimentazione Di Â/100V/0,60 Ohm/P-ScanalaturaIntersil
569360IRFF9130-100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äfInternational Rectifier
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