No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
569321 | IRFF113 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 3.0A corrente. | General Electric Solid State |
569322 | IRFF113 | Canale N cancello valorizzazione modalità di silicio TMOS piccolo segnale transistore ad effetto di campo. | Motorola |
569323 | IRFF120 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569324 | IRFF120 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 6.0A/0,300 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569325 | IRFF120 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 6.0A corrente. | General Electric Solid State |
569326 | IRFF121 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 50V. Scarico in continuo 6.0A corrente. | General Electric Solid State |
569327 | IRFF122 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 5.0A corrente. | General Electric Solid State |
569328 | IRFF123 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 5.0A corrente. | General Electric Solid State |
569329 | IRFF130 | 100V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569330 | IRFF130 | Mosfet Di Alimentazione 100V/Di 8.0A/0,180 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569331 | IRFF130 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 8.0A corrente. | General Electric Solid State |
569332 | IRFF131 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 8.0A corrente. | General Electric Solid State |
569333 | IRFF132 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 100V. Scarico in continuo 7.0A corrente. | General Electric Solid State |
569334 | IRFF133 | Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Scarico in continuo 7.0A corrente. | General Electric Solid State |
569335 | IRFF210 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569336 | IRFF210 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 2.À/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569337 | IRFF220 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569338 | IRFF220 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 3.Ä/0,800 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569339 | IRFF230 | 200V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569340 | IRFF230 | Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 5.Ä/0,400 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569341 | IRFF310 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569342 | IRFF310 | Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 1.3Ä/3,600 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569343 | IRFF310 | Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V. | General Electric Solid State |
569344 | IRFF311 | Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V. | General Electric Solid State |
569345 | IRFF312 | Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 400 V. | General Electric Solid State |
569346 | IRFF313 | Potenza MOSFET transistor di potenza ad effetto di campo. Tensione drain-source 350 V. | General Electric Solid State |
569347 | IRFF320 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569348 | IRFF320 | Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 2.Ä/1,800 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569349 | IRFF330 | 400V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569350 | IRFF330 | Mosfet Di Alimentazione 400V/Di 3.Ä/1,000 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569351 | IRFF420 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569352 | IRFF420 | Mosfet di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | SemeLAB |
569353 | IRFF420 | Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 1.Ã/3,000 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569354 | IRFF430 | 500V scelgono il MOSFET della N-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569355 | IRFF430 | Mosfet Di Alimentazione 500V/Di 2.7Ä/1,500 Ohm/N-Scanalatura | Intersil |
569356 | IRFF9024 | -60V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569357 | IRFF9110 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569358 | IRFF9120 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
569359 | IRFF9120 | Mosfet Di Alimentazione Di Â/100V/0,60 Ohm/P-Scanalatura | Intersil |
569360 | IRFF9130 | -100V scelgono il MOSFET della P-Scanalatura hi-Rel-Rel in un pacchetto di To-20äf | International Rectifier |
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