| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 58601 | 2SD640 | TIPO TRIPLICE DEL SILICONE NPN DIFFUSEO | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | TIPO DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFFUSO TRIPLICE DEL SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN tripla giunzione diffusa mesa. Uscita di deflessione orizzontale di linea operati. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Transistore Del Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Silicone NPN Epitassiale | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Amplificazione a bassa frequenza ed a basso rumore di type(For epitassiale del planer del silicone NPN) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Amplificazione a bassa frequenza ed a basso rumore di type(For epitassiale del planer del silicone PNP) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Amplificazione a bassa frequenza ed a basso rumore di type(For epitassiale del planer del silicone PNP) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Amplificazione a bassa frequenza ed a basso rumore di type(For epitassiale del planer del silicone NPN) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Dispositivo small-signal - transistore small-signal - Generale-usi Amplifires a bassa frequenza | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Dispositivo small-signal - transistore small-signal - Generale-usi Amplifires a bassa frequenza | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Accoppiamento complementare dell'AMPLIFICATORE AD ALTA TENSIONE A BASSA FREQUENZA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Accoppiamento complementare dell'AMPLIFICATORE AD ALTA TENSIONE A BASSA FREQUENZA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Accoppiamento complementare dell'AMPLIFICATORE AD ALTA TENSIONE A BASSA FREQUENZA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Accoppiamento complementare dell'AMPLIFICATORE AD ALTA TENSIONE A BASSA FREQUENZA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Transistore Del Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Silicone NPN Epitassiale | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Transistore Del Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Silicone NPN Epitassiale | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Transistore Del Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Silicone NPN Epitassiale | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Transistore Del Silicone NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Silicone NPN Epitassiale | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Accoppiamento complementare A BASSA FREQUENZA dell'AMPLIFICATORE di ALIMENTAZIONE con 2SD673A | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Accoppiamento complementare A BASSA FREQUENZA dell'AMPLIFICATORE di ALIMENTAZIONE con 2SD673A | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | PROCESSO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | PROCESSO EPITASSIALE DEL SILICONE NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | SILICONE NPN EPITASSIALE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | SILICONE NPN EPITASSIALE (PROCESSO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN diffusa giunzione mesa. Amplificatore ad alta potenza. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN diffusa giunzione mesa. Amplificatore ad alta potenza. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN tripla diffusa mesa. Commutazione ad alta potenza. | Panasonic |
| | | |
