| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 58601 | 2SD640 | TIPO TRIPLE DEL SILICIO NPN DIFFUSEO | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | TIPO DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | TIPO MEGA DIFUNDIDO TRIPLE DEL SILICIO NPN | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN de triple unión difunde mesa. Salida de deflexión horizontal Línea operada. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Amplificación de baja frecuencia y de poco ruido del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio NPN) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Amplificación de baja frecuencia y de poco ruido del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio PNP) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Amplificación de baja frecuencia y de poco ruido del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio PNP) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Amplificación de baja frecuencia y de poco ruido del type(For epitaxial de la cepilladora del silicio NPN) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Dispositivo small-signal - transistor small-signal - General-utilice Amplifires de baja frecuencia | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Par complementario del AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE de la FRECUENCIA BAJA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Par complementario del AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE de la FRECUENCIA BAJA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Par complementario del AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE de la FRECUENCIA BAJA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Par complementario del AMPLIFICADOR DE ALTO VOLTAJE de la FRECUENCIA BAJA con 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Transistor Del Silicio NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Silicio NPN Epitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Par complementario del AMPLIFICADOR de ENERGÍA de la FRECUENCIA BAJA con 2SD673A | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Par complementario del AMPLIFICADOR de ENERGÍA de la FRECUENCIA BAJA con 2SD673A | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | PROCESO EPITAXIAL DEL SILICIO NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | SILICIO NPN EPITAXIAL (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | SILICIO NPN EPITAXIAL (PROCESO DEL PCT) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN difunde cruce mesa. Amplificador de alta potencia. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN difunde cruce mesa. Amplificador de alta potencia. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN DIFUNDIDO TRIPLE DEL MESA. Alta conmutación de potencia. | Panasonic |
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