| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 58601 | 2SD640 | TYPE TRIPLE DU SILICIUM NPN DIFFUSEO | TOSHIBA |
| 58602 | 2SD641 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58603 | 2SD641 | TYPE DIFFUS TRIPLE DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58604 | 2SD647A | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MÉGA DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58605 | 2SD647A | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MÉGA DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58606 | 2SD648A | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MÉGA DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58607 | 2SD648A | TYPE DIFFUS TRIPLE DE MÉGA DU SILICIUM NPN | TOSHIBA |
| 58608 | 2SD649 | Si NPN triple jonction diffusée mesa. Sortie de déviation horizontale Ligne-exploité. | Panasonic |
| 58609 | 2SD655 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58610 | 2SD655 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58611 | 2SD655 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58612 | 2SD661 | Amplification de basse fréquence et à faible bruit de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 58613 | 2SD661 | Amplification de basse fréquence et à faible bruit de type(For épitaxial de planer du silicium PNP) | Panasonic |
| 58614 | 2SD661A | Amplification de basse fréquence et à faible bruit de type(For épitaxial de planer du silicium PNP) | Panasonic |
| 58615 | 2SD661A | Amplification de basse fréquence et à faible bruit de type(For épitaxial de planer du silicium NPN) | Panasonic |
| 58616 | 2SD662 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 58617 | 2SD662B | Dispositif small-signal - transistor small-signal - Général-employez Amplifires de basse fréquence | Panasonic |
| 58618 | 2SD666 | Paire complémentaire d'AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSION DE BASSE FRÉQUENCE avec 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58619 | 2SD666 | Paire complémentaire d'AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSION DE BASSE FRÉQUENCE avec 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58620 | 2SD666A | Paire complémentaire d'AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSION DE BASSE FRÉQUENCE avec 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58621 | 2SD666A | Paire complémentaire d'AMPLIFICATEUR À HAUTE TENSION DE BASSE FRÉQUENCE avec 2SB646/A | Hitachi Semiconductor |
| 58622 | 2SD667 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58623 | 2SD667 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58624 | 2SD667 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58625 | 2SD667A | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58626 | 2SD667A | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58627 | 2SD667A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 58628 | 2SD669 | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58629 | 2SD669 | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58630 | 2SD669A | Transistor Du Silicium NPN | Hitachi Semiconductor |
| 58631 | 2SD669A | Silicium NPN Épitaxial | Hitachi Semiconductor |
| 58632 | 2SD673A | Paire complémentaire DE BASSE FRÉQUENCE d'AMPLIFICATEUR de PUISSANCE avec 2SD673A | Unknow |
| 58633 | 2SD673A | Paire complémentaire DE BASSE FRÉQUENCE d'AMPLIFICATEUR de PUISSANCE avec 2SD673A | Unknow |
| 58634 | 2SD687 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58635 | 2SD687 | PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT) | TOSHIBA |
| 58636 | 2SD688 | SILICIUM NPN ÉPITAXIAL (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 58637 | 2SD688 | SILICIUM NPN ÉPITAXIAL (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
| 58638 | 2SD691 | Si NPN diffusé jonction mesa. Un amplificateur de puissance élevée. | Panasonic |
| 58639 | 2SD692 | Si NPN diffusé jonction mesa. Un amplificateur de puissance élevée. | Panasonic |
| 58640 | 2SD693 | Si NPN triple diffusée mesa. Commutation de puissance élevée. | Panasonic |
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