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Osservare tutti i fogli di dati per General Electric Solid StateCanale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 40A.

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF153, IRF150, IRF152,
Scarica IRF151 datasheet de
General Electric Solid State
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197 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Samsung ElectronicMOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura Scarica IRF151 datasheet de
Samsung Electronic
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215 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Intersil33A e 40A, 60V e 100V, 0,055 e 0,08 Ohm, N-Channel Power MOSFET Scarica IRF151 datasheet de
Intersil
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63 kb
Osservare tutti i fogli di dati per Fairchild SemiconductorAlimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/40/60 V/100 V

D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati:
IRF150-153,
Scarica IRF151 datasheet de
Fairchild Semiconductor
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130 kb
IRF150SMDVista IRF151 al nostro catalogoIRF152



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