|
| Home | Tutti i fornitori | Dalla funzione | |
|
Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF353 prodotto da: |
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF352, IRF351, IRF350, |
Scarica IRF353 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
|
13.0A e 15.0A, 350 e 400V, 0.300 e 0.400 ohm, Avalanche nominale *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Scarica IRF353 datasheet de Intersil |
pdf 65 kb |
|
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 350V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 13A. | Scarica IRF353 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
|
MOSFETs/1Ä/350V/400v Di Alimentazione Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF350-353, |
Scarica IRF353 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
IRF352 | Vista IRF353 al nostro catalogo | IRF36 |