| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 201 | BCR8 | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE Non-a isolé le TYPE/TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 202 | BCR8CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 203 | BCR8CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 204 | BCR8CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 205 | BCR8CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 206 | BCR8CS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 207 | BCR8CS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 208 | BCR8PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 209 | BCR8PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 210 | BCR8PM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 211 | BCR8PM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 212 | BCR8PM-16 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 213 | BCR8PM-18 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 214 | BCR8PM-20 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 215 | BCR8PM-20 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 216 | BCR8PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 217 | BCR8UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 218 | CM1000DU-34NF | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 219 | CM1000HA-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 220 | CM1000HA-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 221 | CM1000HA-28H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 222 | CM100BU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 223 | CM100BU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 224 | CM100DU-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 225 | CM100DU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 226 | CM100DU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 227 | CM100DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 228 | CM100DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 229 | CM100DU-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 230 | CM100DU-24NFH | MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 231 | CM100DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 232 | CM100DUS-12F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 233 | CM100DY | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 234 | CM100DY-12H | MODULES DU TYPE ISOLÉS PAR UTILISATION IGBT DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 235 | CM100DY-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 236 | CM100DY-24H | MODULES DU TYPE ISOLÉS PAR UTILISATION IGBT DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 237 | CM100DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 238 | CM100DY-24NF | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 239 | CM100E3U-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 240 | CM100E3U-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 241 | CM100E3U-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 242 | CM100E3U-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 243 | CM100E3U-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 244 | CM100E3U-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 245 | CM100HA-28H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 246 | CM100TF-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 247 | CM100TF-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 248 | CM100TF-24 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 249 | CM100TF-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 250 | CM100TF-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 251 | CM100TF-28H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 252 | CM100TF-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253 | CM100TU-12F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 254 | CM100TU-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 255 | CM100TU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 256 | CM100TU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 257 | CM100TU-24F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 258 | CM100TU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 259 | CM100TU-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 260 | CM100TU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 261 | CM10AD00-24H | Frein Modules:1200V D'Inverseur De Convertisseur | Mitsubishi Electric Corporation |
| 262 | CM10AD05-12H | Modules de CIB: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 263 | CM10MD-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE COMMUTATION DE PUISSANCE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 264 | CM10MD-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE COMMUTATION DE PUISSANCE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 265 | CM10MD1-12H | TYPE MOYEN De Plat-base d'cUtilisation de COMMUTATION de PUISSANCE de MODULES de MITSUBISHI IGBT, TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 266 | CM10MD3-12H | TYPE MOYEN De Plat-base d'cUtilisation de COMMUTATION de PUISSANCE de MODULES de MITSUBISHI IGBT, TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 267 | CM1200HA-34H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 268 | CM1200HA-50H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 269 | CM1200HA-66H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 270 | CM1200HB-50H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 271 | CM1200HB-66H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 272 | CM1200HC-66H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 273 | CM150DU-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 274 | CM150DU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 275 | CM150DU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 276 | CM150DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 277 | CM150DU-24F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 278 | CM150DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 279 | CM150DU-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 280 | CM150DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 281 | CM150DY-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 282 | CM150DY-12H | MODULES DU TYPE ISOLÉS PAR UTILISATION IGBT DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 283 | CM150DY-12NF | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 284 | CM150DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 285 | CM150DY-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 286 | CM150E3U-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 287 | CM150E3U-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 288 | CM150E3U-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 289 | CM150E3U-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 290 | CM150E3U-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 291 | CM150E3U-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 292 | CM150TF-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 293 | CM150TF-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 294 | CM150TU-12F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 295 | CM150TU-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 296 | CM150TU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 297 | CM150TU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 298 | CM15AD00-24H | Frein Modules:1200V D'Inverseur De Convertisseur | Mitsubishi Electric Corporation |
| 299 | CM15AD05-12H | Modules de CIB: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 300 | CM15MD-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE COMMUTATION DE PUISSANCE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
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