Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
101 | 7531 GROUP | Micro-ordinateur De 8 bits Du Morceau Simple CMOS | Mitsubishi Electric Corporation |
102 | 7531 GROUP | MICRO-ordinateur de CMOS De 8 bits Ŕ microplaquette unique | Mitsubishi Electric Corporation |
103 | BA01202 | IC d'cHybride De GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
104 | BA01203 | IC d'cHybride De GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
105 | BA01207 | IC d'cHybride De GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
106 | BA01207 | IC d'cHybride De GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
107 | BCR08AM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
108 | BCR08AM-14 | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
109 | BCR08AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
110 | BCR08AS-8 | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
111 | BCR10CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
112 | BCR10CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
113 | BCR10CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
114 | BCR10CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
115 | BCR10CS | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
116 | BCR10PM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
117 | BCR10PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
118 | BCR10UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
119 | BCR12 | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE Non-a isolé le TYPE/TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
120 | BCR12CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
121 | BCR12CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
122 | BCR12CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
123 | BCR12CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
124 | BCR12CS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
125 | BCR12CS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
126 | BCR12KM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
127 | BCR12PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
128 | BCR12PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
129 | BCR12PM-14 | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
130 | BCR12PM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
131 | BCR12PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
132 | BCR12UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
133 | BCR16A | UTILISATION MOYENNE A, B, C De PUISSANCE De SEMI-conducteur De MITSUBISHI (TRIAC): TYPE Non-isolé E: TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
134 | BCR16B | UTILISATION MOYENNE A, B, C De PUISSANCE De SEMI-conducteur De MITSUBISHI (TRIAC): TYPE Non-isolé E: TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
135 | BCR16C | UTILISATION MOYENNE A, B, C De PUISSANCE De SEMI-conducteur De MITSUBISHI (TRIAC): TYPE Non-isolé E: TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
136 | BCR16CM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
137 | BCR16CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
138 | BCR16CS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
139 | BCR16CS | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
140 | BCR16E | UTILISATION MOYENNE A, B, C De PUISSANCE De SEMI-conducteur De MITSUBISHI (TRIAC): TYPE Non-isolé E: TYPE ISOLÉ | Mitsubishi Electric Corporation |
141 | BCR16HM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
142 | BCR16PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
143 | BCR16PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
144 | BCR16PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
145 | BCR16UM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
146 | BCR1AM-12 | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
147 | BCR1AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
148 | BCR1AM-8 | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
149 | BCR20A | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
150 | BCR20AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
151 | BCR20AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
152 | BCR20AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
153 | BCR20B | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
154 | BCR20B-10 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
155 | BCR20B-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
156 | BCR20C | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
157 | BCR20C-10 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
158 | BCR20C-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
159 | BCR20E | UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
160 | BCR20KM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
161 | BCR25A | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
162 | BCR25B | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
163 | BCR2PM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
164 | BCR2PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
165 | BCR2PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
166 | BCR3 | LA BASSE UTILISATION DE PUISSANCE A ISOLÉ LE TYPE/TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
167 | BCR30 | L'CUtilisation MOYENNE DE PUISSANCE A ISOLÉ LE TYPE/TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
168 | BCR30AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
169 | BCR30AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
170 | BCR30AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
171 | BCR30GM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
172 | BCR3AM | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
173 | BCR3AS | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
174 | BCR3AS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
175 | BCR3AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
176 | BCR3KM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
177 | BCR3KM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
178 | BCR3KM-14 | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
179 | BCR3KM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
180 | BCR3KM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
181 | BCR3PM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
182 | BCR3PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
183 | BCR3PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
184 | BCR5 | L'CUtilisation MOYENNE DE PUISSANCE A ISOLÉ LE TYPE/TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
185 | BCR5AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
186 | BCR5AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
187 | BCR5AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
188 | BCR5AS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
189 | BCR5AS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
190 | BCR5AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
191 | BCR5KM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
192 | BCR5KM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
193 | BCR5PM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (TRIAC), TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
194 | BCR5PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
195 | BCR5PM-14 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
196 | BCR5PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
197 | BCR6 | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE Non-a isolé le TYPE/TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
198 | BCR6AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (TRIAC) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
199 | BCR6AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
200 | BCR6AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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