| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 101 | 7531 GROUP | Único Microcomputer Da Microplaqueta 8-Bit Cmos | Mitsubishi Electric Corporation |
| 102 | 7531 GROUP | MICROCOMPUTER SINGLE-CHIP DE 8-BIT CMOS | Mitsubishi Electric Corporation |
| 103 | BA01202 | IC do HÍBRIDO Do GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 104 | BA01203 | IC do HÍBRIDO Do GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 105 | BA01207 | IC do HÍBRIDO Do GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 106 | BA01207 | IC do HÍBRIDO Do GaAs HBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 107 | BCR08AM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 108 | BCR08AM-14 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 109 | BCR08AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 110 | BCR08AS-8 | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 111 | BCR10CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 112 | BCR10CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 113 | BCR10CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 114 | BCR10CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 115 | BCR10CS | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 116 | BCR10PM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 117 | BCR10PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 118 | BCR10UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 119 | BCR12 | TIPO MÉDIO TIPO PLANAR DO USO NON-INSULATED DO PODER DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 120 | BCR12CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 121 | BCR12CM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 122 | BCR12CM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 123 | BCR12CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 124 | BCR12CS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 125 | BCR12CS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 126 | BCR12KM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 127 | BCR12PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 128 | BCR12PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 129 | BCR12PM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 130 | BCR12PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 131 | BCR12PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 132 | BCR12UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 133 | BCR16A | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 134 | BCR16B | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 135 | BCR16C | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 136 | BCR16CM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 137 | BCR16CM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 138 | BCR16CS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 139 | BCR16CS | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 140 | BCR16E | USO MÉDIO A Do PODER Do SEMICONDUTOR De MITSUBISHI (TRIAC), B, C: TIPO E De NON-INSULATED: TIPO ISOLADO | Mitsubishi Electric Corporation |
| 141 | BCR16HM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 142 | BCR16PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 143 | BCR16PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 144 | BCR16PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 145 | BCR16UM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 146 | BCR1AM-12 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 147 | BCR1AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 148 | BCR1AM-8 | DO USO BAIXO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 149 | BCR20A | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 150 | BCR20AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 151 | BCR20AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 152 | BCR20AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 153 | BCR20B | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 154 | BCR20B-10 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 155 | BCR20B-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 156 | BCR20C | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 157 | BCR20C-10 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 158 | BCR20C-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 159 | BCR20E | USO MÉDIO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 160 | BCR20KM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 161 | BCR25A | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 162 | BCR25B | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 163 | BCR2PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 164 | BCR2PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 165 | BCR2PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 166 | BCR3 | TIPO ISOLADO TIPO PLANAR DO PODER USO BAIXO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 167 | BCR30 | TIPO ISOLADO TIPO DE VIDRO DO PODER USO MÉDIO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 168 | BCR30AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 169 | BCR30AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 170 | BCR30AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 171 | BCR30GM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO DE VIDRO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 172 | BCR3AM | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 173 | BCR3AS | TIPO BAIXO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 174 | BCR3AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 175 | BCR3AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 176 | BCR3KM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 177 | BCR3KM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 178 | BCR3KM-14 | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 179 | BCR3KM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 180 | BCR3KM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 181 | BCR3PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 182 | BCR3PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 183 | BCR3PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 184 | BCR5 | TIPO ISOLADO TIPO PLANAR DO PODER USO MÉDIO DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 185 | BCR5AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 186 | BCR5AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 187 | BCR5AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 188 | BCR5AS | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 189 | BCR5AS-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 190 | BCR5AS-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 191 | BCR5KM | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 192 | BCR5KM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO MÉDIO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 193 | BCR5PM | TIPO ISOLADO DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC) USO BAIXO, TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 194 | BCR5PM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 195 | BCR5PM-14 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 196 | BCR5PM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 197 | BCR6 | TIPO MÉDIO TIPO PLANAR DO USO NON-INSULATED DO PODER DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 198 | BCR6AM | TIPO MÉDIO DO USO NON-INSULATED DO PODER DO SEMICONDUTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DO PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 199 | BCR6AM-12 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 200 | BCR6AM-8 | Módulos Bipolares Integrados Do Transistor Da Porta (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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