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Datenblaetter Gefunden :: 36680

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
101	7531 GROUP	Einzelner Mikrocomputer Des Span-8-Bit Cmos	Mitsubishi Electric Corporation
102	7531 GROUP	SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MIKROCOMPUTER	Mitsubishi Electric Corporation
103	BA01202	GaAs HBT MISCHLING-IS	Mitsubishi Electric Corporation
104	BA01203	GaAs HBT MISCHLING-IS	Mitsubishi Electric Corporation
105	BA01207	GaAs HBT MISCHLING-IS	Mitsubishi Electric Corporation
106	BA01207	GaAs HBT MISCHLING-IS	Mitsubishi Electric Corporation
107	BCR08AM-14	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
108	BCR08AM-14	NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
109	BCR08AS-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
110	BCR08AS-8	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation

111	BCR10CM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
112	BCR10CM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
113	BCR10CM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
114	BCR10CS	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
115	BCR10CS	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
116	BCR10PM	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
117	BCR10PM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
118	BCR10UM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
119	BCR12	MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED	Mitsubishi Electric Corporation
120	BCR12CM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
121	BCR12CM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
122	BCR12CM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
123	BCR12CS	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
124	BCR12CS-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
125	BCR12CS-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
126	BCR12KM-14	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
127	BCR12PM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
128	BCR12PM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
129	BCR12PM-14	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
130	BCR12PM-14	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
131	BCR12PM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
132	BCR12UM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
133	BCR16A	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART	Mitsubishi Electric Corporation
134	BCR16B	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART	Mitsubishi Electric Corporation
135	BCR16C	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART	Mitsubishi Electric Corporation
136	BCR16CM	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
137	BCR16CM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
138	BCR16CS	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
139	BCR16CS	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
140	BCR16E	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH A, B, C Des MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC): NON-INSULATED ART E: ISOLIERART	Mitsubishi Electric Corporation
141	BCR16HM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
142	BCR16PM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
143	BCR16PM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
144	BCR16PM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
145	BCR16UM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
146	BCR1AM-12	NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-GLASPASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
147	BCR1AM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
148	BCR1AM-8	NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH-PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
149	BCR20A	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
150	BCR20AM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
151	BCR20AM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
152	BCR20AM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
153	BCR20B	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
154	BCR20B-10	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
155	BCR20B-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
156	BCR20C	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
157	BCR20C-10	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
158	BCR20C-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
159	BCR20E	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC)	Mitsubishi Electric Corporation
160	BCR20KM	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
161	BCR25A	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
162	BCR25B	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
163	BCR2PM	NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
164	BCR2PM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
165	BCR2PM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
166	BCR3	NIEDRIGER ENERGIE GEBRAUCH ISOLIERART PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
167	BCR30	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH ISOLIERART GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
168	BCR30AM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
169	BCR30AM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
170	BCR30AM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
171	BCR30GM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
172	BCR3AM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
173	BCR3AS	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) NIEDRIGE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
174	BCR3AS-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
175	BCR3AS-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
176	BCR3KM	NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
177	BCR3KM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
178	BCR3KM-14	NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
179	BCR3KM-14	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
180	BCR3KM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
181	BCR3PM	NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
182	BCR3PM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
183	BCR3PM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
184	BCR5	MITTLERER ENERGIE GEBRAUCH ISOLIERART PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
185	BCR5AM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
186	BCR5AM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
187	BCR5AM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
188	BCR5AS	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
189	BCR5AS-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
190	BCR5AS-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
191	BCR5KM	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
192	BCR5KM	MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
193	BCR5PM	NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
194	BCR5PM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
195	BCR5PM-14	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
196	BCR5PM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
197	BCR6	MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED	Mitsubishi Electric Corporation
198	BCR6AM	DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART	Mitsubishi Electric Corporation
199	BCR6AM-12	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation
200	BCR6AM-8	Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V	Mitsubishi Electric Corporation

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