| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 501 | CM800HA-34H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 502 | CM800HA-50H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 503 | CM800HA-66H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 504 | CM800HB-50H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 505 | CM800HB-66H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 506 | CM900HB-90H | Modules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 507 | CR02 | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 508 | CR02AM | TYPE PLANAIRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 509 | CR02AM-4 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 510 | CR02AM-6 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 511 | CR02AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 512 | CR02AM-8A | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 513 | CR03AM | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 514 | CR03AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 515 | CR03AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 516 | CR04 | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 517 | CR04AM | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR) | Mitsubishi Electric Corporation |
| 518 | CR04AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 519 | CR04AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 520 | CR05AS | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE PLANAIRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 521 | CR05AS-4 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 522 | CR05AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 523 | CR08AS | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 524 | CR08AS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 525 | CR08AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 526 | CR10C | TYPE MOYEN DE L'UTILISATION NON-INSULATED DE PUISSANCE,TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 527 | CR10CY | Haut THYRISTOR de COMMUTATION De Vitesse - la PUISSANCE MOYENNE, UTILISATION d'cInverseur Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 528 | CR12AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 529 | CR12AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 530 | CR12AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 531 | CR12BM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 532 | CR20EY | Haut THYRISTOR de COMMUTATION De Vitesse - la PUISSANCE MOYENNE, UTILISATION d'cInverseur Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 533 | CR20F | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 534 | CR2AM | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 535 | CR2AM-8A | TYPE DE VERRE DE PASSIVATION DE BASSE UTILISATION DE PUISSANCE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 536 | CR3AMZ | Haut THYRISTOR de COMMUTATION De Vitesse - La BASSE PUISSANCE, UTILISATION de STROBOSCOPE Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 537 | CR3EM | UTILISATION de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI La BASSE (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 538 | CR3JM | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 539 | CR3JM | Haut THYRISTOR de COMMUTATION De Vitesse - La BASSE PUISSANCE, UTILISATION de STROBOSCOPE Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 540 | CR3PM | TYPE ISOLÉ BASSE PAR UTILISATION DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 541 | CR3PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 542 | CR3PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 543 | CR5AS | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 544 | CR5AS-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 545 | CR5AS-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 546 | CR6CM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 547 | CR6CM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 548 | CR6CM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 549 | CR6PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 550 | CR6PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 551 | CR6PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 552 | CR8AM | L'cUtilisation MOYENNE de PUISSANCE de SEMI-conducteur de MITSUBISHI (THYRISTOR) Non-a isolé le TYPE, TYPE DE VERRE de PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 553 | CR8AM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 554 | CR8AM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 555 | CR8PM | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION MOYENNE DE PUISSANCE DE SEMI-conducteur DE MITSUBISHI (THYRISTOR), TYPE DE VERRE DE PASSIVATION | Mitsubishi Electric Corporation |
| 556 | CR8PM-12 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 557 | CR8PM-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 558 | CT15SM-24 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation GÉNÉRALE D'CUps DE Ò D'CInverseur DE TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 559 | CT20AS-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 560 | CT20ASJ-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 561 | CT20ASL-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 562 | CT20TM-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 563 | CT20VM-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 564 | CT20VML-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 565 | CT20VS-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 566 | CT20VSL-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 567 | CT25AS-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 568 | CT25ASJ-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 569 | CT30SM-1 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 570 | CT30SM-12 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation GÉNÉRALE D'CUps DE Ò D'CInverseur DE TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 571 | CT30TM-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 572 | CT30VM-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 573 | CT30VS-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 574 | CT35SM-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 575 | CT40TMH-8 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation BIPOLAIRE DE CLIGNOTEUR DE STROBOSCOPE DE TRANSISTOR DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 576 | CT60AM-18B | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation RÉSONNANTE D'CInverseur DE TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 577 | CT60AM-18B | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 578 | CT60AM-18F | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 579 | CT75AM-12 | MITSUBISHI A ISOLÉ L'CUtilisation GÉNÉRALE D'CUps DE Ò D'CInverseur DE TRANSISTOR BIPOLAIRE DE PORTE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 580 | CT90AM-18 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 581 | CY20AAJ-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 582 | CY20AAJ-8F | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 583 | CY25AAJ-8 | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 584 | CY25AAJ-8F | Modules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 585 | DN1811 | LSI pour le multiplexage de 16 ch | Mitsubishi Electric Corporation |
| 586 | E602204_HD64413A | LSI périphérique de moteur de SuperH RISC | Mitsubishi Electric Corporation |
| 587 | E702196_SH7750 | Émulateur Du Système SH7750 E10A D'Environnement De Développement De Micro-ordinateur De Hitachi | Mitsubishi Electric Corporation |
| 588 | FA01215 | IC d'cHybride de FET De GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 589 | FA01219A | IC d'cHybride de FET De GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 590 | FA01220A | IC d'cHybride de FET De GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 591 | FA01384 | IC d'cHybride de FET De GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 592 | FAO1384 | IC d'cHybride de FET De GaAs | Mitsubishi Electric Corporation |
| 593 | FD1000FH-56 | DIODES de REDRESSEUR À haute fréquence de MITSUBISHI PUISSANCE ÉLEVÉE, HAUTE FRÉQUENCE, TYPE de DOSSIER de PRESSE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 594 | FD1000FV-90 | DIODES de REDRESSEUR À haute fréquence de MITSUBISHI PUISSANCE ÉLEVÉE, HAUTE FRÉQUENCE, TYPE de DOSSIER de PRESSE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 595 | FD1000FX-90 | DIODES de REDRESSEUR À haute fréquence de MITSUBISHI PUISSANCE ÉLEVÉE, HAUTE FRÉQUENCE, TYPE de DOSSIER de PRESSE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 596 | FD1500AU-240 | Thyristor pour haute tension, haute puissance, usage général, porte dynamique, appuyez sur le type de paquet | Mitsubishi Electric Corporation |
| 597 | FD1500AV-90 | DIODES de REDRESSEUR À haute fréquence de MITSUBISHI PUISSANCE ÉLEVÉE, HAUTE FRÉQUENCE, TYPE de DOSSIER de PRESSE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 598 | FD1500BV-90DA | Diodes Molles De Rétablissement | Mitsubishi Electric Corporation |
| 599 | FD1500BV-90DA | PUISSANCE ÉLEVÉE, HAUTE FRÉQUENCE, TYPE DE DOSSIER DE PRESSE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 600 | FD2000BV-90DA | Thyristor GTO pour utilisation à haute puissance de l'onduleur presse de type pack | Mitsubishi Electric Corporation |
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