| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 35101 | NDF06N60Z | MOSFET de puissance du N-Canal, 600 V, 1,2 O | ON Semiconductor |
| 35102 | NDF06N62Z | MOSFET de puissance 620V 1,2 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 35103 | NDF08N50Z | MOSFET de puissance 500V 0,850 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 35104 | NDF08N60Z | MOSFET de puissance 600V 0,95 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 35105 | NDF10N60Z | MOSFET de puissance du N-Canal, 600 V, 0,75 O | ON Semiconductor |
| 35106 | NDF10N62Z | MOSFET de puissance 620V 0,750 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 35107 | NDF11N50Z | MOSFET de puissance 500V 0,52 Ohm Simple N-Canal | ON Semiconductor |
| 35108 | NDF60N360U1 | Canal N MOSFET de puissance, 600 V, 360 mOhm | ON Semiconductor |
| 35109 | NE521 | Haut débit, double différentiel Comparateur / Sense Amp | ON Semiconductor |
| 35110 | NE5230 | Amplificateur opérationnel, basse tension | ON Semiconductor |
| 35111 | NE5517 | Double Transconductance amplificateur opérationnel | ON Semiconductor |
| 35112 | NE5532 | Amplificateur opérationnel, interne compensée, à faible bruit, double | ON Semiconductor |
| 35113 | NE5534 | Amplificateur opérationnel, à faible bruit, simple | ON Semiconductor |
| 35114 | NE570 | Compandor | ON Semiconductor |
| 35115 | NE592 | Amplificateur vidéo | ON Semiconductor |
| 35116 | NGB15N41CLT4 | Allumage IGBT DPAK 15 Ampères, 410 Volts, 2,1 V(max) | ON Semiconductor |
| 35117 | NGB18N40CLB | Allumage IGBT dans Dàk (Gen3) avec de l'énergie améliorée et Vce(on) de SCIS | ON Semiconductor |
| 35118 | NGB18N40CLBT4 | Allumage IGBT dans Dàk (Gen3) avec de l'énergie améliorée et Vce(on) de SCIS | ON Semiconductor |
| 35119 | NGB8202N | Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAK | ON Semiconductor |
| 35120 | NGB8202NT4 | Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAK | ON Semiconductor |
| 35121 | NGB8204N | Ignition IGBT, 18 A, 400 V, N-Canal D 2 PAK | ON Semiconductor |
| 35122 | NGB8206N | Ignition IGBT, Canal N, 20 A, 350 V, D 2 PAK | ON Semiconductor |
| 35123 | NGB8207AN | Ignition IGBT, Canal N, 20 A, 365 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35124 | NGB8207N | Ignition IGBT, Canal N, 20 A, 365 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35125 | NGB8245N | Ignition IGBT, Canal N, 20 A, 450 V, D2PAK | ON Semiconductor |
| 35126 | NGD15N41CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 35127 | NGD15N41CL-D | Allumage IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canal DPAK, D2PAK et To-220 | ON Semiconductor |
| 35128 | NGD15N41CLT4 | Allumage IGBT DPAK 15 Ampères, 410 Volts, 2,1 V(max) | ON Semiconductor |
| 35129 | NGD18N40CLB | Allumage IGBT 18 A, 400 V, N-Ch DPak avec de l'énergie améliorée de SCIS et Vce(on) | ON Semiconductor |
| 35130 | NGD18N40CLBT4 | Allumage IGBT 18 A, 400 V, N-Ch DPak avec de l'énergie améliorée de SCIS et Vce(on) | ON Semiconductor |
| 35131 | NGD18N45CLB | Ignition IGBT, Canal N, 18 A, 450 V, DPAK | ON Semiconductor |
| 35132 | NGD8201N | Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 35133 | NGD8201NT4 | Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAK | ON Semiconductor |
| 35134 | NGD8205N | Ignition IGBT, Canal N, 20 A, 350 V, DPAK | ON Semiconductor |
| 35135 | NGD8209N | IGBT d'allumage | ON Semiconductor |
| 35136 | NGP15N41CL | Allumage IGBT 15 Ampères, 410 Volts | ON Semiconductor |
| 35137 | NGP8203N | Ignition IGBT 20 A, 400 V, N-Channel TO-220 | ON Semiconductor |
| 35138 | NGTB15N120FLW | IGBT 1200V 15A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35139 | NGTB15N120IHL | IGBT 1200V 15A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35140 | NGTB15N120IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35141 | NGTB15N120L | IGBT 1200V 15A FS1 Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35142 | NGTB15N135IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35143 | NGTB15N60E | IGBT - de court-circuit | ON Semiconductor |
| 35144 | NGTB15N60S1E | IGBT - de court-circuit | ON Semiconductor |
| 35145 | NGTB20N120IHL | IGBT 1200V 20A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35146 | NGTB20N120IHR | IGBT 1200V 20A FS2-RC chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35147 | NGTB20N120IHS | IGBT 1200V 20A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35148 | NGTB20N120L | IGBT 1200V 20A FS1 Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35149 | NGTB20N135IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35150 | NGTB25N120FLW | IGBT 1200V 25A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35151 | NGTB25N120IHLW | IGBT 1200V 25A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35152 | NGTB25N120L | IGBT 1200V 25A FS1 Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35153 | NGTB30N120FL2W | IGBT - Champ Stop II | ON Semiconductor |
| 35154 | NGTB30N120IHL | IGBT 1200V 30A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35155 | NGTB30N120IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35156 | NGTB30N120IHSW | IGBT 1200V 30A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35157 | NGTB30N120L | IGBT 1200V 30A FS1 Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35158 | NGTB30N120L2W | IGBT - Champ Stop II | ON Semiconductor |
| 35159 | NGTB30N135IHR | IGBT 1350V 30A FS2-RC chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35160 | NGTB30N60FLW | IGBT 600V 30A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35161 | NGTB30N60FW | IGBT 600V 30A Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35162 | NGTB30N60IHLW | IGBT 600V 30A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35163 | NGTB40N120FL2W | IGBT - Champ Stop II | ON Semiconductor |
| 35164 | NGTB40N120FLW | IGBT 1200V 40A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35165 | NGTB40N120IHLW | IGBT 1200V 40A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35166 | NGTB40N120IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35167 | NGTB40N120L | IGBT 1200V 40A FS1 Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35168 | NGTB40N135IHR | IGBT avec diode monolithique roue libre | ON Semiconductor |
| 35169 | NGTB40N60FLW | IGBT 600V 40A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35170 | NGTB40N60IHLW | IGBT 600V 40A FS1 chauffage par induction | ON Semiconductor |
| 35171 | NGTB50N120FL2W | IGBT - Champ Stop II | ON Semiconductor |
| 35172 | NGTB50N60FLW | IGBT 600V 50A FS1 solaire / UPS | ON Semiconductor |
| 35173 | NGTB50N60FW | IGBT 600V 50A Gen Bours | ON Semiconductor |
| 35174 | NGTB50N60L2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35175 | NGTB75N60FL2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35176 | NGTB75N65FL2W | IGBT | ON Semiconductor |
| 35177 | NGTG15N60S1E | IGBT - de court-circuit | ON Semiconductor |
| 35178 | NGTG20N60L2TF1G | N-Canal IGBT 600V, 20A, VCE (sat); 1.45V simple TO-3PF-3L | ON Semiconductor |
| 35179 | NGTG30N60FLW | IGBT 30A 600V seulement PFC haute fréquence | ON Semiconductor |
| 35180 | NGTG30N60FW | IGBT 30A 600V seulement PFC | ON Semiconductor |
| 35181 | NGTG50N60FLW | IGBT | ON Semiconductor |
| 35182 | NGTG50N60FW | IGBT 50A 600V seulement PFC | ON Semiconductor |
| 35183 | NHPV08S600 | SWITCHMODE redresseurs électriques | ON Semiconductor |
| 35184 | NHPV15S600 | Switchmode redresseurs électriques | ON Semiconductor |
| 35185 | NIB6404-5L-D | HDPlus 52 ampères, 40 volts d'individu protégé avec le N-Canal D2PAK de sens de la température | ON Semiconductor |
| 35186 | NIC9N05TS1 | Protection de l'alimentation MOSFET 2,6 A, 52 V, N-Channel, de niveau logique, MOSFET serrée w / protection ESD | ON Semiconductor |
| 35187 | NID5001N | SmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35188 | NID5001NT4 | SmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35189 | NID5001NT4G | SmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAK | ON Semiconductor |
| 35190 | NID5003N | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V, 20 A, N-Canal simple, DPAK | ON Semiconductor |
| 35191 | NID5003NT4 | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V, 20 A, N-Canal simple, DPAK | ON Semiconductor |
| 35192 | NID5004N | FET auto-protégée avec la température et limite de courant 40 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK | ON Semiconductor |
| 35193 | NID6002N | FET auto-protégée avec la température et limite de courant 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK | ON Semiconductor |
| 35194 | NID9N05CL | Actionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAK | ON Semiconductor |
| 35195 | NID9N05CLT4 | Actionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAK | ON Semiconductor |
| 35196 | NID9N05CLT4G | Actionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAK | ON Semiconductor |
| 35197 | NIF5002N | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de N | ON Semiconductor |
| 35198 | NIF5002ND | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante | ON Semiconductor |
| 35199 | NIF5002NT1 | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de N | ON Semiconductor |
| 35200 | NIF5002NT1G | FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de N | ON Semiconductor |
| | | |
