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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
35101NDF06N60ZMOSFET de puissance du N-Canal, 600 V, 1,2 OON Semiconductor
35102NDF06N62ZMOSFET de puissance 620V 1,2 Ohm Simple N-CanalON Semiconductor
35103NDF08N50ZMOSFET de puissance 500V 0,850 Ohm Simple N-CanalON Semiconductor
35104NDF08N60ZMOSFET de puissance 600V 0,95 Ohm Simple N-CanalON Semiconductor
35105NDF10N60ZMOSFET de puissance du N-Canal, 600 V, 0,75 OON Semiconductor
35106NDF10N62ZMOSFET de puissance 620V 0,750 Ohm Simple N-CanalON Semiconductor
35107NDF11N50ZMOSFET de puissance 500V 0,52 Ohm Simple N-CanalON Semiconductor
35108NDF60N360U1Canal N MOSFET de puissance, 600 V, 360 mOhmON Semiconductor
35109NE521Haut débit, double différentiel Comparateur / Sense AmpON Semiconductor
35110NE5230Amplificateur opérationnel, basse tensionON Semiconductor
35111NE5517Double Transconductance amplificateur opérationnelON Semiconductor
35112NE5532Amplificateur opérationnel, interne compensée, à faible bruit, doubleON Semiconductor
35113NE5534Amplificateur opérationnel, à faible bruit, simpleON Semiconductor
35114NE570CompandorON Semiconductor
35115NE592Amplificateur vidéoON Semiconductor
35116NGB15N41CLT4Allumage IGBT DPAK 15 Ampères, 410 Volts, 2,1 V(max)ON Semiconductor
35117NGB18N40CLBAllumage IGBT dans Dàk (Gen3) avec de l'énergie améliorée et Vce(on) de SCISON Semiconductor
35118NGB18N40CLBT4Allumage IGBT dans Dàk (Gen3) avec de l'énergie améliorée et Vce(on) de SCISON Semiconductor
35119NGB8202NAllumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35120NGB8202NT4Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal D<sup>2</sup>PAKON Semiconductor
35121NGB8204NIgnition IGBT, 18 A, 400 V, N-Canal D 2 PAKON Semiconductor
35122NGB8206NIgnition IGBT, Canal N, 20 A, 350 V, D 2 PAKON Semiconductor
35123NGB8207ANIgnition IGBT, Canal N, 20 A, 365 V, D2PAKON Semiconductor
35124NGB8207NIgnition IGBT, Canal N, 20 A, 365 V, D2PAKON Semiconductor
35125NGB8245NIgnition IGBT, Canal N, 20 A, 450 V, D2PAKON Semiconductor
35126NGD15N41CLAllumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
35127NGD15N41CL-DAllumage IGBT 15 ampères, 410 volts de N-Canal DPAK, D2PAK et To-220ON Semiconductor
35128NGD15N41CLT4Allumage IGBT DPAK 15 Ampères, 410 Volts, 2,1 V(max)ON Semiconductor
35129NGD18N40CLBAllumage IGBT 18 A, 400 V, N-Ch DPak avec de l'énergie améliorée de SCIS et Vce(on)ON Semiconductor
35130NGD18N40CLBT4Allumage IGBT 18 A, 400 V, N-Ch DPak avec de l'énergie améliorée de SCIS et Vce(on)ON Semiconductor
35131NGD18N45CLBIgnition IGBT, Canal N, 18 A, 450 V, DPAKON Semiconductor
35132NGD8201NAllumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAKON Semiconductor
35133NGD8201NT4Allumage IGBT 20 A, 400 V, N-Canal DPAKON Semiconductor
35134NGD8205NIgnition IGBT, Canal N, 20 A, 350 V, DPAKON Semiconductor
35135NGD8209NIGBT d'allumageON Semiconductor
35136NGP15N41CLAllumage IGBT 15 Ampères, 410 VoltsON Semiconductor
35137NGP8203NIgnition IGBT 20 A, 400 V, N-Channel TO-220ON Semiconductor
35138NGTB15N120FLWIGBT 1200V 15A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35139NGTB15N120IHLIGBT 1200V 15A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35140NGTB15N120IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35141NGTB15N120LIGBT 1200V 15A FS1 Gen BoursON Semiconductor
35142NGTB15N135IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35143NGTB15N60EIGBT - de court-circuitON Semiconductor
35144NGTB15N60S1EIGBT - de court-circuitON Semiconductor
35145NGTB20N120IHLIGBT 1200V 20A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35146NGTB20N120IHRIGBT 1200V 20A FS2-RC chauffage par inductionON Semiconductor
35147NGTB20N120IHSIGBT 1200V 20A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35148NGTB20N120LIGBT 1200V 20A FS1 Gen BoursON Semiconductor
35149NGTB20N135IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35150NGTB25N120FLWIGBT 1200V 25A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35151NGTB25N120IHLWIGBT 1200V 25A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35152NGTB25N120LIGBT 1200V 25A FS1 Gen BoursON Semiconductor
35153NGTB30N120FL2WIGBT - Champ Stop IION Semiconductor
35154NGTB30N120IHLIGBT 1200V 30A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35155NGTB30N120IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35156NGTB30N120IHSWIGBT 1200V 30A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35157NGTB30N120LIGBT 1200V 30A FS1 Gen BoursON Semiconductor
35158NGTB30N120L2WIGBT - Champ Stop IION Semiconductor
35159NGTB30N135IHRIGBT 1350V 30A FS2-RC chauffage par inductionON Semiconductor
35160NGTB30N60FLWIGBT 600V 30A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35161NGTB30N60FWIGBT 600V 30A Gen BoursON Semiconductor
35162NGTB30N60IHLWIGBT 600V 30A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35163NGTB40N120FL2WIGBT - Champ Stop IION Semiconductor
35164NGTB40N120FLWIGBT 1200V 40A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35165NGTB40N120IHLWIGBT 1200V 40A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35166NGTB40N120IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35167NGTB40N120LIGBT 1200V 40A FS1 Gen BoursON Semiconductor
35168NGTB40N135IHRIGBT avec diode monolithique roue libreON Semiconductor
35169NGTB40N60FLWIGBT 600V 40A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35170NGTB40N60IHLWIGBT 600V 40A FS1 chauffage par inductionON Semiconductor
35171NGTB50N120FL2WIGBT - Champ Stop IION Semiconductor
35172NGTB50N60FLWIGBT 600V 50A FS1 solaire / UPSON Semiconductor
35173NGTB50N60FWIGBT 600V 50A Gen BoursON Semiconductor
35174NGTB50N60L2WIGBTON Semiconductor
35175NGTB75N60FL2WIGBTON Semiconductor
35176NGTB75N65FL2WIGBTON Semiconductor
35177NGTG15N60S1EIGBT - de court-circuitON Semiconductor
35178NGTG20N60L2TF1GN-Canal IGBT 600V, 20A, VCE (sat); 1.45V simple TO-3PF-3LON Semiconductor



35179NGTG30N60FLWIGBT 30A 600V seulement PFC haute fréquenceON Semiconductor
35180NGTG30N60FWIGBT 30A 600V seulement PFCON Semiconductor
35181NGTG50N60FLWIGBTON Semiconductor
35182NGTG50N60FWIGBT 50A 600V seulement PFCON Semiconductor
35183NHPV08S600SWITCHMODE redresseurs électriquesON Semiconductor
35184NHPV15S600Switchmode redresseurs électriquesON Semiconductor
35185NIB6404-5L-DHDPlus 52 ampères, 40 volts d'individu protégé avec le N-Canal D2PAK de sens de la températureON Semiconductor
35186NIC9N05TS1Protection de l'alimentation MOSFET 2,6 A, 52 V, N-Channel, de niveau logique, MOSFET serrée w / protection ESDON Semiconductor
35187NID5001NSmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAKON Semiconductor
35188NID5001NT4SmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAKON Semiconductor
35189NID5001NT4GSmartDiscrete Individu-protégé, 42V bride, & de la température; Limite Courante, ESD, DPAKON Semiconductor
35190NID5003NFET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V, 20 A, N-Canal simple, DPAKON Semiconductor
35191NID5003NT4FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V, 20 A, N-Canal simple, DPAKON Semiconductor
35192NID5004NFET auto-protégée avec la température et limite de courant 40 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAKON Semiconductor
35193NID6002NFET auto-protégée avec la température et limite de courant 65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAKON Semiconductor
35194NID9N05CLActionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAKON Semiconductor
35195NID9N05CLT4Actionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAKON Semiconductor
35196NID9N05CLT4GActionnez le transistor MOSFET 9 A, 52 V, N-Canal, le niveau de logique, protection maintenue du transistor MOSFET w/ESD dans un paquet de DPAKON Semiconductor
35197NIF5002NFET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de NON Semiconductor
35198NIF5002NDFET Individu-Protégé avec la température et la limite couranteON Semiconductor
35199NIF5002NT1FET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de NON Semiconductor
35200NIF5002NT1GFET Individu-Protégé avec la température et la limite courante 42 V 2,0 une Manche simple Sot-223 de NON Semiconductor

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