| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 36501 | NTHS4166N | NTHS4166N | ON Semiconductor |
| 36502 | NTHS4501N | MOSFET de puissance 30 V, 6.7 A, Single N-Channel ChipFET ™ Package | ON Semiconductor |
| 36503 | NTHS5402 | Transistor MOSFET 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De Puissance; | ON Semiconductor |
| 36504 | NTHS5402 | Transistor MOSFET 20 V, 4,9 A, N-Canal ChipFET™ De Puissance; | ON Semiconductor |
| 36505 | NTHS5402T1 | OBSOLETE - MOSFET de puissance du N-Canal ChipFET ™ | ON Semiconductor |
| 36506 | NTHS5402T1-D | N-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 4,9 Ampères, 30 Volts | ON Semiconductor |
| 36507 | NTHS5404 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36508 | NTHS5404 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36509 | NTHS5404T1 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36510 | NTHS5404T1 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36511 | NTHS5404T1-D | N-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 5,2 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 36512 | NTHS5404T1G | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36513 | NTHS5404T1G | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 5.À, Le N-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36514 | NTHS5441 | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET | ON Semiconductor |
| 36515 | NTHS5441T1 | P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36516 | NTHS5441T1 | P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36517 | NTHS5441T1-D | P-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 3,9 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 36518 | NTHS5441T1G | P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36519 | NTHS5441T1G | P-Canal ChipFET™ de Transistor MOSFET De Puissance; -3,9 A, -20 V | ON Semiconductor |
| 36520 | NTHS5443 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36521 | NTHS5443 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36522 | NTHS5443T1 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36523 | NTHS5443T1 | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36524 | NTHS5443T1-D | P-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 3,6 Ampères, 20 Volts | ON Semiconductor |
| 36525 | NTHS5443T1G | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36526 | NTHS5443T1G | Actionnez le Transistor MOSFET 20V, 3.Ã, Le P-Canal ChipFET™ | ON Semiconductor |
| 36527 | NTHS5445 | Transistor MOSFET 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De Puissance; | ON Semiconductor |
| 36528 | NTHS5445 | Transistor MOSFET 8 V, 5,2 A, P-Canal ChipFET™ De Puissance; | ON Semiconductor |
| 36529 | NTHS5445T1 | OBSOLETE - MOSFET de puissance du P-Canal ChipFET ™ | ON Semiconductor |
| 36530 | NTHS5445T1-D | P-Canal ChipFET de Transistor MOSFET De Puissance 5,2 Ampères, 8 Volts | ON Semiconductor |
| 36531 | NTJD1155L | MOSFET de puissance 8 V, ± 1.3, High Side charge Interrupteur avec décalage de niveau P-Canal, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36532 | NTJD2152P | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36533 | NTJD2152PT1 | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36534 | NTJD2152PT1G | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36535 | NTJD2152PT2 | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36536 | NTJD2152PT2G | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36537 | NTJD2152PT4 | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36538 | NTJD2152PT4G | Le Petit Transistor MOSFET 8 V De Signal De Fossé Conjuguent P-Canal, Protection d'cEsd | ON Semiconductor |
| 36539 | NTJD3158C | MOSFET de puissance complémentaires | ON Semiconductor |
| 36540 | NTJD4001N | Petit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88 | ON Semiconductor |
| 36541 | NTJD4001NT1 | Petit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88 | ON Semiconductor |
| 36542 | NTJD4001NT1G | Petit transistor MOSFET 30 V, 250 mA, N duel - la Manche, Sc de signal - 88 | ON Semiconductor |
| 36543 | NTJD4105C | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36544 | NTJD4105CT1 | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36545 | NTJD4105CT1G | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36546 | NTJD4105CT2 | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36547 | NTJD4105CT2G | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36548 | NTJD4105CT4 | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36549 | NTJD4105CT4G | Petit Transistor MOSFET 20v/-8v, +0.6á/-0.77ä Élogieux Sc-88 De Signal | ON Semiconductor |
| 36550 | NTJD4152P | Small Signal MOSFET 20 V, 0.88 A, Double P-Canal, avec protection ESD | ON Semiconductor |
| 36551 | NTJD4158C | Small Signal MOSFET 30 V / -20 V, 0,25 / -0,88 A, complémentaire, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36552 | NTJD4401N | Small Signal MOSFET 20 V, N Dual-Channel, SC-88 sur la protection ESD | ON Semiconductor |
| 36553 | NTJD5121N | Fiche NTJD5121N données | ON Semiconductor |
| 36554 | NTJS3151P | MOSFET tranchée d'alimentation 12 V, 3,3 A, Single P-Channel ESD Protected SC-88 | ON Semiconductor |
| 36555 | NTJS3157N | Trench MOSFET de puissance, 20 V, 4.0 A, l'unité N-Canal | ON Semiconductor |
| 36556 | NTJS4151P | V de tranchée MOSFET de puissance, -4,2 A, Single P-Channel, SC-88 | ON Semiconductor |
| 36557 | NTJS4160N | MOSFET de puissance 30 V, 3.2 A, Single N-Channel SC-88 | ON Semiconductor |
| 36558 | NTJS4405N | Small Signal MOSFET 25 V, 1.2 A Single N-Channel SC-88 | ON Semiconductor |
| 36559 | NTK3043N | MOSFET de puissance 20 V, 285 mA, N-Manche avec protection ESD, SOT-723 | ON Semiconductor |
| 36560 | NTK3134N | MOSFET de puissance, 20 V, 890 mA, Single N-Channel, SOT-723 Package, avec protection ESD | ON Semiconductor |
| 36561 | NTK3139P | MOSFET de puissance 20 V, 780 mA, Single P-Canal | ON Semiconductor |
| 36562 | NTK3142P | V de petits signaux MOSFET de puissance, -280 mA, P-Manche avec protection ESD, SOT-723 | ON Semiconductor |
| 36563 | NTL4502N | Quadruple PInPAK De N-Canal du Transistor MOSFET 24V De Puissance | ON Semiconductor |
| 36564 | NTL4502NT1 | Quadruple PInPAK De N-Canal du Transistor MOSFET 24V De Puissance | ON Semiconductor |
| 36565 | NTLGD3502N | MOSFET de puissance, 20 V, N Dual-Channel | ON Semiconductor |
| 36566 | NTLGF3402P | MOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -3,9 A, P-Canal | ON Semiconductor |
| 36567 | NTLJD2104P | MOSFET de puissance, 12V, 4.3A, 90mOhm double canal P WDFN2x2 | ON Semiconductor |
| 36568 | NTLJD2105L | MOSFET de puissance, 8 V, 4.3 A, µCool ™ High Side Charge Détecteur de changement de niveau | ON Semiconductor |
| 36569 | NTLJD3115P | MOSFET de puissance -20 V, -4,1 A, µCool ¿double P-Channel, 2x2 mm Paquet PNWD | ON Semiconductor |
| 36570 | NTLJD3119C | 20 V, 4,6 A de puissance MOSFET µCool | ON Semiconductor |
| 36571 | NTLJD3181PZ | MOSFET de puissance, -20 V, -4,0 A, uCool ™, double P-Canal, l'EDD, 2x2 mm Paquet PNWD | ON Semiconductor |
| 36572 | NTLJD3182FZ | MOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -4,0 A, uCool ¿, Single P-Canal et de barrière de Schottky Diode, l'EDD | ON Semiconductor |
| 36573 | NTLJD3183CZ | MOSFET de puissance, 20 V/-20 V, 4.7 A A/-4.0, uCool ¿, complémentaire, 2x2 mm, paquet PNWD | ON Semiconductor |
| 36574 | NTLJD4116N | MOSFET de puissance, 30 V, 4.6 A, N Dual-Channel | ON Semiconductor |
| 36575 | NTLJD4150P | MOSFET de puissance 30 V, 3.4 A, µCool ™ double P-Canal | ON Semiconductor |
| 36576 | NTLJF1103P | MOSFET de puissance et V de diode Schottky, -4,3 A, µCool ¿P-Canal, avec 2,0 A Barrière de Schottky Diode, 2 x 2 mm, PNWD | ON Semiconductor |
| 36577 | NTLJF3117P | MOSFET de puissance et diode Schottky, -20 V, -4,1 A, P-Canal | ON Semiconductor |
| 36578 | NTLJF3118N | MOSFET de puissance et diode Schottky 20 V, 4.6 A, µCool ™ N-Channel, avec 2,0 A Barrière de Schottky Diode | ON Semiconductor |
| 36579 | NTLJF4156N | MOSFET de puissance et diode Schottky, 30 V, 4.6 A, N-Canal | ON Semiconductor |
| 36580 | NTLJS1102P | MOSFET de puissance 8V 8.1A 36 mOhm Single P-Canal WDFN2x2 | ON Semiconductor |
| 36581 | NTLJS2103P | NTLJS2103P | ON Semiconductor |
| 36582 | NTLJS3113P | MOSFET de puissance -20 V, -9,5 A, Single P-Channel µCool | ON Semiconductor |
| 36583 | NTLJS3A18PZ | MOSFET de puissance, -20 V, -8,2 A, uCool, Single P-Channel, 2.0x2.0x0.8 mm Paquet PNWD | ON Semiconductor |
| 36584 | NTLJS4114N | MOSFET de puissance, 30 V, 7.8 A, l'unité N-Canal | ON Semiconductor |
| 36585 | NTLJS4149 | NTLJS4149P µCool ™ | ON Semiconductor |
| 36586 | NTLJS4159N | MOSFET de puissance 30 V, 7.8 A, µCool ™ Single N-Canal | ON Semiconductor |
| 36587 | NTLLD4901NF | MOSFET de puissance et diode Schottky intégrée, 30 V, N Dual-Channel | ON Semiconductor |
| 36588 | NTLMS4501N | Transistor MOSFET 30 V, 14,7 A, N-Canal, Paquet De Puissance De So-8 Leadless | ON Semiconductor |
| 36589 | NTLMS4507N | Transistor MOSFET 30 V, 24 A, N-Canal, Paquet De Puissance De So-8 Leadless | ON Semiconductor |
| 36590 | NTLTD7900N | MOSFET de puissance 8,5 A, 20 V Niveau logique du N-Canal Micro8 ™ Leadless | ON Semiconductor |
| 36591 | NTLTD7900Z | 9A, 20V, 26mOhm, Protection De Porte De Zener, 4000V HBM | ON Semiconductor |
| 36592 | NTLTD7900Z-D | Transistor MOSFET De Puissance 9 Ampères, 20 Volts, N-Canal De niveau Micro-8 Leadless De Logique | ON Semiconductor |
| 36593 | NTLTD7900ZR2 | 9A, 20V, 26mOhm, Protection De Porte De Zener, 4000V HBM | ON Semiconductor |
| 36594 | NTLTS3107P | MOSFET de puissance -20 V, -8,3 A, Single P-Channel Micro-8 Leadless paquet | ON Semiconductor |
| 36595 | NTLUD3191PZ | Double P-Channel MOSFET 20 V | ON Semiconductor |
| 36596 | NTLUD3A260PZ | Single P-Channel MOSFET 20 V | ON Semiconductor |
| 36597 | NTLUD3A50PZ | MOSFET de puissance, double P-Canal, -20 V, -5,6 A, 2.0x2.0x0.55 mm paquet UDFN | ON Semiconductor |
| 36598 | NTLUF4189NZ | Simple MOSFET canal N de 30 V plus de barrière de Schottky Diode | ON Semiconductor |
| 36599 | NTLUS3192PZ | Single P-Channel MOSFET 20 V | ON Semiconductor |
| 36600 | NTLUS3A18PZ | MOSFET de puissance, -20 V, -8,2 A, simple Pch, ESD, 2.0x2.0x0.55 mm, uCool, paquet UDFN | ON Semiconductor |
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