| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1030001 | Q62702-F664 | TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 1030002 | Q62702-F678 | TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNP | Siemens |
| 1030003 | Q62702-F704 | Diodo do switching do silicone (para o switching de alta velocidade) | Siemens |
| 1030004 | Q62702-F721 | Transistor do silicone de NPN (alta tensão l tensão baixa da avaria do saturation do collector-emitter) | Siemens |
| 1030005 | Q62702-F722 | Transistor do silicone de PNP (alta tensão baixa do saturation do collector-emitter da tensão de avaria) | Siemens |
| 1030006 | Q62702-F739 | Diodo do switching do silicone (para o switching de alta velocidade) | Siemens |
| 1030007 | Q62702-F774 | Transistor do RF do silicone de NPN (para low-noise SE e amplificadores broadband na antena e sistemas das telecomunicações em correntes de coletor de 2mA a 20mA) | Siemens |
| 1030008 | Q62702-F775 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até 2 gigahertz e interruptores não-saturados rápidos em correntes de coletor de 1 miliampère a 20 miliampères.) | Siemens |
| 1030009 | Q62702-F776 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband da baixo-distorção até 2 gigahertz em correntes de coletor de 10 miliampères a 30 miliampères.) | Siemens |
| 1030010 | Q62702-F788 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-noise na escala do gigahertz, e aplicações análogas e digitais broadband) | Siemens |
| 1030011 | Q62702-F803 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband até 2 gigahertz em correntes de coletor de 5 miliampères a 30 miliampères.) | Siemens |
| 1030012 | Q62702-F804 | Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband até 2 gigahertz em correntes de coletor até 20 miliampères.) | Siemens |
| 1030013 | Q62702-F869 | Transistor do RF do silicone de PNP (para OSCILADORES, MISTURADORES E ESTÁGIOS do MISTURADOR de SELF-OSCILLATING NOS TUNERS de frequência ultraelevada da tevê) | Siemens |
| 1030014 | Q62702-F884 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 1030015 | Q62702-F885 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 1030016 | Q62702-F935 | TRANSISTOR do RF do SILICONE de NPN (para aplicações broadband lineares do amplificador excitador do filtro da SERRA de até 500 megahertz em tuners da tevê) | Siemens |
| 1030017 | Q62702-F936 | Tetrode do MOSFET da canaleta do silicone N (para estágios da entrada e do misturador em FM e tuners da tevê do VHF) | Siemens |
| 1030018 | Q62702-F938 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband e osciladores da distorção baixa até 2GHz em correntes de coletor de 0.5mA a 20mA) | Siemens |
| 1030019 | Q62702-F940 | Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até o 1GHz em correntes de coletor de 1mA a 20mA) | Siemens |
| 1030020 | Q62702-F944 | Transistor do RF do silicone de PNP (para estágios comuns do amplificador do emissor até 300 megahertz para aplicações do misturador em rádios de AM/FM e em tuners da tevê do VHF) | Siemens |
| 1030021 | Q62702-F976 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 1030022 | Q62702-F977 | Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta) | Siemens |
| 1030023 | Q62702-F979 | Transistor do RF do silicone de NPN (capacidade de gabarito baixa do amplificador comum do emissor IF/RF devido à difusão do protetor) | Siemens |
| 1030024 | Q62702-F982 | Transistor do RF do silicone de PNP (para aplicações do oscilador do VHF) | Siemens |
| 1030025 | Q62702-G0041 | MMIC-Amplificador bipolar do silicone (50 cascadable W-ganham o ganho típico do DB do bloco 9 1.0 no dBm P-1dB típico do gigahertz 9 1.0 na DB-LARGURA de faixa do gigahertz 3: C.C. a 2.4 gigahertz) | Siemens |
| 1030026 | Q62702-G0042 | MMIC-Amplificador bipolar do silicone (50 cascadable W-ganham o ganho típico do DB do bloco 11 1.0 no dBm P-1dB típico do gigahertz 9 em 1.0 gigahertz) | Siemens |
| 1030027 | Q62702-G0043 | MMIC-Amplificador bipolar do silicone (50 cascadable W-ganham o ganho típico do DB do bloco 16 1.0 no dBm P-1dB típico do gigahertz 12 em 1.0 gigahertz) | Siemens |
| 1030028 | Q62702-G0057 | Silicone-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (bloco cascadable de 50?gain incondicional estável) | Siemens |
| 1030029 | Q62702-G0058 | Silicone-MMIC-Amplificador em SIEGET 25-Technologie (casc multifunctional. 50?block LNA/MISTURA incondicional estável) | Siemens |
| 1030030 | Q62702-G0067 | Silicone-MMIC-Amplificador em SIEGET 25-Technologie (50 cascadable W-ganham o bloco incondicional estável) | Siemens |
| 1030031 | Q62702-G0071 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificador variável do amplificador do ganho para a escala móvel 50dB excedente do controle do ganho de uma comunicação) | Siemens |
| 1030032 | Q62702-G38 | Disposição do diodo do switching do silicone (microplaqueta de alta velocidade do diodo do interruptor da configuração da ponte) | Siemens |
| 1030033 | Q62702-G44 | GaAs MMIC (MMIC-Amplificador monolítico do IC da microonda para uma comunicação móvel) | Siemens |
| 1030034 | Q62702-K0047 | NEU: 2fach-Silizium-PIN-Fotodiode em SMT NOVO: PINO fotodiodo do silicone 2-Chip em SMT | Siemens |
| 1030035 | Q62702-K34 | PINO Disposição Do Silicone De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Do Fotodiodo | Siemens |
| 1030036 | Q62702-K35 | PINO Disposição Do Silicone De 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Do Fotodiodo | Siemens |
| 1030037 | Q62702-K8 | Disposição Do Fotodiodo Do Silicone De 3fach-Silizium-Fotodiodenzeile 3-Chip | Siemens |
| 1030038 | Q62702-L90 | Fet do GaAs (amplificador de poder para telefones móveis para freqüências de 400 megahertz a 2.5 gigahertz) | Siemens |
| 1030039 | Q62702-L94 | Fet do GaAs (amplificador de poder para telefones móveis para freqüências de 400 megahertz a 2.5 gigahertz) | Siemens |
| 1030040 | Q62702-L96 | Fet do GaAs (amplificador de poder para telefones móveis para freqüências até 3 gigahertz) | Siemens |
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