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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1029841Q62702-F1250Transistor do RF do silicone de NPN (especial apropriado para amplificadores e tuners Tevê-sentados)Siemens
1029842Q62702-F1271Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5mA a 12mA)Siemens
1029843Q62702-F1282Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares)Siemens
1029844Q62702-F1287Transistor do RF do silicone de NPN (apropriados para o emissor comum RF, SE capacidade baixa do collector-base dos amplificadores devido à difusão do protetor do contato)Siemens
1029845Q62702-F1291Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares)Siemens
1029846Q62702-F1292Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações)Siemens
1029847Q62702-F1296Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2mA a 2.5mA)Siemens
1029848Q62702-F1298Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis)Siemens
1029849Q62702-F1303Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta)Siemens
1029850Q62702-F1304Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta)Siemens
1029851Q62702-F1305Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta)Siemens
1029852Q62702-F1306Transistor da Elevado-Tensão do silicone de NPN (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta)Siemens
1029853Q62702-F1309Transistor da Elevado-Tensão do silicone de PNP (apropriados para os estágios video da saída tensão da avaria das fontes de jogos de tevê e de alimentação do switching na alta)Siemens
1029854Q62702-F1312Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores high-gain até 2GHz para amplificadores broadband lineares)Siemens
1029855Q62702-F1314Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 12mA)Siemens
1029856Q62702-F1315Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA)Siemens
1029857Q62702-F1316Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain na corrente de coletor de 2 miliampères a 30mA)Siemens
1029858Q62702-F1320Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena e telecomunicações)Siemens



1029859Q62702-F1321Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e nas telecomunicações)Siemens
1029860Q62702-F1322Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios broadband do amplificador da saída da baixo-distorção na antena e nas telecomunicações)Siemens
1029861Q62702-F133Transistor Planar Do Silicone de NPNSiemens
1029862Q62702-F134Transistor Planar Do Silicone de NPNSiemens
1029863Q62702-F1346Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e nas telecomunicações)Siemens
1029864Q62702-F1347Transistor do RF do silicone de PNP (para amplificadores broadband da distorção baixa na antena e sistemas das telecomunicações até 1.5 gigahertz em correntes de coletor)Siemens
1029865Q62702-F135Transistor Planar Do Silicone de NPNSiemens
1029866Q62702-F1359Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband da distorção baixa na antena)Siemens
1029867Q62702-F137TRANSISTOR PLANAR DO SILICONE DE PNPSiemens
1029868Q62702-F1372Triode do FET do MOS da canaleta do silicone N (para o RF encena até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM)Siemens
1029869Q62702-F1377Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores low-power no pager móvel dos sistemas de comunicação em correntes de coletor de 0.2 a 2.5mA)Siemens
1029870Q62702-F1378Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores low-power em sistemas de comunicação móveis)Siemens
1029871Q62702-F1382Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 2 miliampères a 30 miliampères)Siemens
1029872Q62702-F1391GaAs MMIC (Fet Duplo Inclinado Do GaAs Da Porta)Siemens
1029873Q62702-F1393Fet do GaAs (ganho elevado do ruído baixo para amplificadores low-noise da extremidade dianteira para de DBS conversores para baixo)Siemens
1029874Q62702-F1394Fet do GaAs (ganho elevado do ruído baixo para amplificadores low-noise da extremidade dianteira para de DBS conversores para baixo)Siemens
1029875Q62702-F1396Transistor do RF do silicone de NPN (para o ruído baixo, amplificadores broadband high-gain em correntes de coletor de 1mA a 20mA)Siemens
1029876Q62702-F1426TRANSISTOR DO RF DO SILICONE DE NPN (PARA CONVERSORES DE FREQÜÊNCIA DE UHF/VHF E OSCILADORES LOCAIS)Siemens
1029877Q62702-F1432Transistor do RF do silicone de NPN (para estágios broadband do amplificador da saída da baixo-distorção na antena e nas telecomunicações)Siemens
1029878Q62702-F1487Tetrode do MOSFET da N-Canaleta do silicone (para o ruído baixo, o ganho elevado controlou estágios da entrada até a rede diagonal estabilizada integrada 12V se operando da tensão do 1GHzSiemens
1029879Q62702-F1488Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband até 2GHz e interruptores não-saturados rápidos em correntes de coletor de 0.5 miliampère a 20 miliampères)Siemens
1029880Q62702-F1489Transistor do RF do silicone de NPN (para amplificadores broadband e osciladores da distorção baixa até 2GHz em correntes de coletor de 5 miliampères a 30 miliampères)Siemens
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