| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1058161 | RN2106MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058162 | RN2107 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058163 | RN2107ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058164 | RN2107CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058165 | RN2107F | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058166 | RN2107FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058167 | RN2107MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058168 | RN2108 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058169 | RN2108ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058170 | RN2108CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058171 | RN2108F | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058172 | RN2108FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058173 | RN2108MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058174 | RN2109 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058175 | RN2109ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058176 | RN2109CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058177 | RN2109F | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058178 | RN2109FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058179 | RN2109MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058180 | RN2110 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058181 | RN2110ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058182 | RN2110CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058183 | RN2110F | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058184 | RN2110FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058185 | RN2110MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058186 | RN2111 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058187 | RN2111ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058188 | RN2111CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058189 | RN2111F | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058190 | RN2111FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058191 | RN2111MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058192 | RN2112 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058193 | RN2112ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058194 | RN2112CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058195 | RN2112F | Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do Excitador | TOSHIBA |
| 1058196 | RN2112FT | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador. | TOSHIBA |
| 1058197 | RN2112MFV | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058198 | RN2113 | Tipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador | TOSHIBA |
| 1058199 | RN2113ACT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
| 1058200 | RN2113CT | Viés resistor embutido transistor (BRT) | TOSHIBA |
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