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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
1058321RN2707JETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058322RN2708Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058323RN2708JETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058324RN2709Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058325RN2709JETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058326RN2710Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058327RN2710JETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058328RN2711Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058329RN2711JETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058330RN2712JEViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
1058331RN2713JEViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
1058332RN2714Viés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
1058333RN2901Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
1058334RN2901AFSViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
1058335RN2901FETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058336RN2901FSViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
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1058338RN2902AFSViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA



1058339RN2902FETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
1058340RN2902FSViés resistor embutido transistor (BRT), 2-em-1TOSHIBA
1058341RN2903Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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1058349RN2905Tipo Epitaxial Do Silicone PNP Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Switching, Do Circuito Do Inversor, De Circuito De Relação E De Circuito Do ExcitadorTOSHIBA
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1058351RN2905FETipo epitaxial do silicone PNP do transistor (processo) do PCT (transistor interno do resistor diagonal) aplicações do switching, do circuito do inversor, de circuito de relação e de circuito do excitador.TOSHIBA
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