| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 1163801 | STD1224N | Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163802 | STD1224N | Transistor De Efeito De Campo Da Modalidade Do Realce Da N-Canaleta | SamHop Microelectronics Corp. |
| 1163803 | STD123ASF | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163804 | STD123S | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163805 | STD123SF | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163806 | STD123U | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163807 | STD123UF | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163808 | STD127DT4 | Alta tensão de comutação rápida de energia NPN transistor | ST Microelectronics |
| 1163809 | STD129 | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
| 1163810 | STD12N05 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1163811 | STD12N05 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163812 | STD12N05 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163813 | STD12N05L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1163814 | STD12N05L | N - TRANSISTOR BAIXO Do MOS Do PODER Do PONTO INICIAL Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163815 | STD12N05L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163816 | STD12N06 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1163817 | STD12N06 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163818 | STD12N06 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163819 | STD12N06L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1163820 | STD12N06L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163821 | STD12N06L | N - TRANSISTOR BAIXO Do MOS Do PODER Do PONTO INICIAL Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163822 | STD12N10L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
| 1163823 | STD12N10L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163824 | STD12N10L | N - CANALETA 100V - 0.12 Ohm - TRANSISTOR BAIXO do MOS do PODER do PONTO INICIAL De 12A TO-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163825 | STD12N65M5 | N-channel 650 V, 0,39 Ohm, 8.5 A MDmesh (TM) V Poder MOSFET DPAK | ST Microelectronics |
| 1163826 | STD12NE06 | N - CANALETA 60V - 0.08 Ohm - 12A - IPAK/DPAK ESCOLHEM O Mosfet do PODER do TAMANHO da CARACTERÍSTICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163827 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.09 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1163828 | STD12NE06L | N-CHANNEL 60V - 0.09 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163829 | STD12NE06L | N - CANALETA 60V - 0.09 Ohm - Mosfet do PODER De 12A TO-251/TO-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163830 | STD12NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163831 | STD12NF06 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163832 | STD12NF06-1 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163833 | STD12NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163834 | STD12NF06L | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1163835 | STD12NF06L-1 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163836 | STD12NF06LT4 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163837 | STD12NF06T4 | N-CHANNEL 60V - 0.08 OHM - MOSFET DO PODER DE 12A IPAK/DPAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1163838 | STD12NM50ND | N-channel 500 V, 0,29 Ohm tip., 11 A FDmesh (TM) II Poder MOSFET (com diodo rápido) no pacote de DPAK | ST Microelectronics |
| 1163839 | STD130 ASIC | Índices Do Livro | Samsung Electronic |
| 1163840 | STD130 ASIC | Introdução | Samsung Electronic |
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