Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
1163881 | STD13N60M2 | N-channel 600 V, 0,35 Ohm tip., 11 A MDmesh II Plus (TM) baixo Qg Poder MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
1163882 | STD13NM60N | N-channel 600 V, 0,28 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Poder MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
1163883 | STD13NM60ND | N-channel 600 V, 0,32 Ohm tip., 11 A FDmesh (TM) II Poder MOSFET (com diodo rápido) no pacote de DPAK | ST Microelectronics |
1163884 | STD150 ASIC | Characteristics(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
1163885 | STD150 ASIC | Flip/Flops Primitivo | Samsung Electronic |
1163886 | STD150 ASIC | Pilhas Primitivas Da Lógica | Samsung Electronic |
1163887 | STD150 ASIC | Vista geral Primitiva | Samsung Electronic |
1163888 | STD150 ASIC | Introduction(Jan. 22. 2002) | Samsung Electronic |
1163889 | STD150 ASIC | STD150 Folheto Rev. 1.0 | Samsung Electronic |
1163890 | STD150 ASIC | Travas Primitivas | Samsung Electronic |
1163891 | STD150 ASIC | Miscellanies Primitivos | Samsung Electronic |
1163892 | STD150 ASIC | Pilhas de I/O | Samsung Electronic |
1163893 | STD150 ASIC | Memórias Elevadas Da Densidade | Samsung Electronic |
1163894 | STD150 ASIC | Timmings | Samsung Electronic |
1163895 | STD150 ASIC | PLL2108X (janeiro 17, 2002) | Samsung Electronic |
1163896 | STD150 ASIC | Glossário de termos análogos | Samsung Electronic |
1163897 | STD150 ASIC | Potencialidades Do Pacote | Samsung Electronic |
1163898 | STD150 ASIC | Pilhas do IP de I/O | Samsung Electronic |
1163899 | STD150 ASIC | Entrada/Pilha Output | Samsung Electronic |
1163900 | STD150 ASIC | Fanouts Máximo | Samsung Electronic |
1163901 | STD150N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, DPAK Poder MOSFET | ST Microelectronics |
1163902 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24V - 0.0033 OHM - MOSFET DE 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III PARA A CONVERSÃO DE DC-DC | ST Microelectronics |
1163903 | STD150NH02L | N-CHANNEL 24V - 0,0033 OHM - 150A CLIPPAK / IPAK STRIPFET III MOSFET DE DC-DC CONVERSÃO | SGS Thomson Microelectronics |
1163904 | STD150NH02L-1 | N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - MOSFET DE 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1163905 | STD150NH02LT4 | N-CHANNEL 24V - 0.003 OHM - MOSFET DE 150A CLIPPAK/IPAK STRIPFET III | ST Microelectronics |
1163906 | STD155N3H6 | N-canal 30 V, 2,5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET | ST Microelectronics |
1163907 | STD155N3LH6 | N-canal 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
1163908 | STD15N06 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
1163909 | STD15N06 | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
1163910 | STD15N06 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
1163911 | STD15N06L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | ST Microelectronics |
1163912 | STD15N06L | PRODUTO VELHO: NAO APROPRIADO PARA DESIGN-IN NOVO | SGS Thomson Microelectronics |
1163913 | STD15N06L | N - TRANSISTOR BAIXO Do MOS Do PODER Do PONTO INICIAL Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
1163914 | STD15N65M5 | N-channel 650 V, 0,308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V MOSFET no pacote DPAK | ST Microelectronics |
1163915 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - MOSFET BAIXO DO PODER DA CARGA STRIPFET II DA PORTA DE 23A DPAK | ST Microelectronics |
1163916 | STD15NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - MOSFET BAIXO DO PODER DA CARGA STRIPFET II DA PORTA DE 23A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
1163917 | STD15NF10 | N - CANALETA 100V - 0.073Ohm - Mosfet BAIXO do PODER De STripFET da CARGA da PORTA De 15A TO-252 | SGS Thomson Microelectronics |
1163918 | STD15NF10T4 | N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - MOSFET BAIXO DO PODER DA CARGA STRIPFET II DA PORTA DE 23A DPAK | ST Microelectronics |
1163919 | STD1664 | Transistor Do Silicone de NPN | AUK Corp |
1163920 | STD16N50M2 | N-channel 500 V, 0,24 Ohm tip., 13 A MOSFET MDmesh M2 Poder em um pacote de DPAK | ST Microelectronics |
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