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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1163881STD13N60M2N-channel 600 V, 0,35 Ohm tip., 11 A MDmesh II Plus (TM) a bassa potenza Qg MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1163882STD13NM60NN-channel 600 V, 0,28 Ohm tip., 11 A MDmesh (TM) II Potenza MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1163883STD13NM60NDN-channel 600 V, 0,32 Ohm tip., 11 A FDmesh MOSFET di potenza (TM) II (con diodo veloce) in package DPAKST Microelectronics
1163884STD150 ASICCharacteristics(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
1163885STD150 ASICFlip/Flops PrimitivoSamsung Electronic
1163886STD150 ASICCellule Primitive Di LogicaSamsung Electronic
1163887STD150 ASICDescrizione PrimitivaSamsung Electronic
1163888STD150 ASICIntroduction(Jan. 22, 2002)Samsung Electronic
1163889STD150 ASICInvertitore 1,0 Dell'Opuscolo STD150Samsung Electronic
1163890STD150 ASICFermi PrimitiviSamsung Electronic
1163891STD150 ASICMiscellanee PrimitiveSamsung Electronic
1163892STD150 ASICCellule di I/oSamsung Electronic
1163893STD150 ASICMemorie Ad alta densitàSamsung Electronic
1163894STD150 ASICTimmingsSamsung Electronic
1163895STD150 ASICPLL2108X (17 gennaio 2002)Samsung Electronic
1163896STD150 ASICGlossario dei termini analogSamsung Electronic
1163897STD150 ASICPossibilità Del PacchettoSamsung Electronic
1163898STD150 ASICCellule del IP di I/oSamsung Electronic
1163899STD150 ASICCellula Dell'Ingreso/uscitaSamsung Electronic



1163900STD150 ASICFanouts MassimoSamsung Electronic
1163901STD150N3LLH6N-canale 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A, MOSFET di potenza DPAKST Microelectronics
1163902STD150NH02LN-scanalatura 24V - 0,0033 OHM - Mosfet Di 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET III PER LA CONVERSIONE CC-CCST Microelectronics
1163903STD150NH02LN-CHANNEL 24V - 0,0033 OHM - 150A CLIPPAK / IPAK STripFET III MOSFET per DC-DC CONVERSIONESGS Thomson Microelectronics
1163904STD150NH02L-1N-scanalatura 24V - 0,003 OHM - Mosfet Di 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET IIIST Microelectronics
1163905STD150NH02LT4N-scanalatura 24V - 0,003 OHM - Mosfet Di 150A CLIPPAK/ipak STRIPFET IIIST Microelectronics
1163906STD155N3H6N-canale 30 V, 2,5 mOhm, 80 A, DPAK STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET di potenzaST Microelectronics
1163907STD155N3LH6N-canale 30 V, 0,0024 Ohm, 80 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) di potenza MOSFET in package DPAKST Microelectronics
1163908STD15N06VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inST Microelectronics
1163909STD15N06VECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inSGS Thomson Microelectronics
1163910STD15N06N - TRANSISTORE Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICASGS Thomson Microelectronics
1163911STD15N06LVECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inST Microelectronics
1163912STD15N06LVECCHIO PRODOTTO: NON ADATTO A NUOVO Progett-inSGS Thomson Microelectronics
1163913STD15N06LN - TRANSISTORE BASSO Del MOS Di ALIMENTAZIONE Della SOGLIA Di MODO Di AUMENTO Della MANICASGS Thomson Microelectronics
1163914STD15N65M5N-channel 650 V, 0.308 Ohm, 11 A MDmesh (TM) V MOSFET di potenza in package DPAKST Microelectronics
1163915STD15NF10N-scanalatura 100V - 0,060 OHM - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE della CARICA STRIPFET II del CANCELLO Di 2Á DPAKST Microelectronics
1163916STD15NF10N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - MOSFET BASSO DI ALIMENTAZIONE DELLA CARICA STRIPFET II DEL CANCELLO DI 23A DPAKSGS Thomson Microelectronics
1163917STD15NF10N - MANICA 100V - 0.07Óhm - Mosfet BASSO di ALIMENTAZIONE Di STripFET della CARICA del CANCELLO Di 1Ä To-252SGS Thomson Microelectronics
1163918STD15NF10T4N-CHANNEL 100V - 0.060 OHM - MOSFET BASSO DI ALIMENTAZIONE DELLA CARICA STRIPFET II DEL CANCELLO DI 23A DPAKST Microelectronics
1163919STD1664Transistore Del Silicone di NPNAUK Corp
1163920STD16N50M2N-channel 500 V, 0,24 Ohm tip., 13 A MDmesh M2 potenza MOSFET in un pacchetto DPAKST Microelectronics
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