| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 251881 | BC848 | Transistor do silicone de NPN (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 251882 | BC848 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251883 | BC848 | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110-800 hFE. BC858 Complementar | Continental Device India Limited |
| 251884 | BC848 | PNP Transistor do AF do silicone | Infineon |
| 251885 | BC848A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 251886 | BC848A | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251887 | BC848A | Transistor Pequenos Do Sinal (NPN) | General Semiconductor |
| 251888 | BC848A | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 251889 | BC848A | SILICONE DA FINALIDADE GERAL TRANSISITOR NPN | Zowie Technology Corporation |
| 251890 | BC848A | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 251891 | BC848A | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de NPN | Micro Commercial Components |
| 251892 | BC848A | Finalidade Geral Pequena Amplifier/Switch Do Transistor NPN Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 251893 | BC848A | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 251894 | BC848A | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 251895 | BC848A | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 110-220 hFE. BC858A Complementar | Continental Device India Limited |
| 251896 | BC848A | min hfe 110 NF max. 10 dB Transistor polaridade NPN Ic corrente contínua max 100 mA Tensão VCEO 30 V Ic atual (HFE) 2 mA de energia Ptot 350 mW | Fairchild Semiconductor |
| 251897 | BC848A | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 251898 | BC848A | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 251899 | BC848A | 30 V, montar NPN superfície pequeno transistor de sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 251900 | BC848A | 30 V, montar NPN superfície pequeno transistor de sinal | TRSYS |
| 251901 | BC848A(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
| 251902 | BC848A-1JZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251903 | BC848A-1JZ | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251904 | BC848A-1JZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251905 | BC848A-1JZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251906 | BC848A-1JZ | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 251907 | BC848A-1JZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 251908 | BC848A-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 251909 | BC848A-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = 30V, V CEO = 30V, V EBO = 6V, I C, = 0.1A | Comchip Technology |
| 251910 | BC848AF | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 251911 | BC848AL | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251912 | BC848ALT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 251913 | BC848ALT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 251914 | BC848ALT1 | Transistor NPN Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 251915 | BC848ALT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 251916 | BC848ALT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 251917 | BC848AMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 251918 | BC848AT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 251919 | BC848AW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 251920 | BC848AW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
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