| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252121 | BC849CW | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252122 | BC849CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252123 | BC849CW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252124 | BC849CW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252125 | BC849CW | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 252126 | BC849W | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252127 | BC849W | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252128 | BC849W | PNP Transistor do AF do silicone | Infineon |
| 252129 | BC850 | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252130 | BC850 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252131 | BC850 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252132 | BC850 | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252133 | BC850 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252134 | BC850 | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
| 252135 | BC850 | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. VCEO 45V, 0.100A Ic, 200-800 hFE. BC860 Complementar | Continental Device India Limited |
| 252136 | BC850A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252137 | BC850ALT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252138 | BC850AMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252139 | BC850B | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252140 | BC850B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252141 | BC850B | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252142 | BC850B | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
| 252143 | BC850B | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
| 252144 | BC850B | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. VCEO 45V, 0.100A Ic, 200-450 hFE. BC860B Complementar | Continental Device India Limited |
| 252145 | BC850B | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252146 | BC850B | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252147 | BC850B-2FZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252148 | BC850B-2FZ | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252149 | BC850B-2FZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252150 | BC850B-2FZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252151 | BC850B-2FZ | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
| 252152 | BC850B-2FZ | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
| 252153 | BC850BL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252154 | BC850BLT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252155 | BC850BLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252156 | BC850BLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252157 | BC850BMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 252158 | BC850BT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252159 | BC850BW | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
| 252160 | BC850BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
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