| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252321 | BC856C | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252322 | BC856C | Sinal Pequeno transistor (PNP) | General Semiconductor |
| 252323 | BC856CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252324 | BC856CW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = -80V, V CEO = -65V, V EBO = -5V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252325 | BC856F | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252326 | BC856F | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252327 | BC856S | Transistor do dobro da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252328 | BC856S | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de PNP para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 252329 | BC856S | Disposição do transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252330 | BC856S | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252331 | BC856S | 65 V, 100 mA PNP / PNP de uso geral transistor | NXP Semiconductors |
| 252332 | BC856T | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252333 | BC856T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252334 | BC856U | Transistor da finalidade geral - disposição do transistor do AF do silicone de PNP para estágios e excitadores da entrada do AF | Infineon |
| 252335 | BC856U | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252336 | BC856UF | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252337 | BC856W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252338 | BC856W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252339 | BC856W | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252340 | BC856W | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252341 | BC856W | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252342 | BC856W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252343 | BC856W-BC860W | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252344 | BC857 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252345 | BC857 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252346 | BC857 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252347 | BC857 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252348 | BC857 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | Vishay |
| 252349 | BC857 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252350 | BC857 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252351 | BC857 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252352 | BC857 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252353 | BC857 | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252354 | BC857 | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252355 | BC857 | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252356 | BC857 | TRANSISTOR PEQUENOS DO SINAL PNP | ST Microelectronics |
| 252357 | BC857 | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252358 | BC857 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC847 Complementar | Continental Device India Limited |
| 252359 | BC857A | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252360 | BC857A | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
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