Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
252161 | BC850BW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
252162 | BC850BW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
252163 | BC850BW | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
252164 | BC850C | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
252165 | BC850C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
252166 | BC850C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
252167 | BC850C | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador) | Siemens |
252168 | BC850C | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
252169 | BC850C | 0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC860C Complementar | Continental Device India Limited |
252170 | BC850C | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
252171 | BC850C | NPN transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
252172 | BC850C-Z2G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
252173 | BC850C-Z2G | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
252174 | BC850C-Z2G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
252175 | BC850C-Z2G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
252176 | BC850C-Z2G | SILICONE DE SOT23 NPN PLANAR | Zetex Semiconductors |
252177 | BC850C-Z2G | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Unknow |
252178 | BC850CL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252179 | BC850CLT1 | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
252180 | BC850CLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
252181 | BC850CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
252182 | BC850CLT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
252183 | BC850CLT1G | Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
252184 | BC850CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de NPN | Fairchild Semiconductor |
252185 | BC850CT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
252186 | BC850CT | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
252187 | BC850CW | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
252188 | BC850CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
252189 | BC850CW | Transistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
252190 | BC850CW | NPN de uso geral | NXP Semiconductors |
252191 | BC850CW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
252192 | BC850W | Transistor da finalidade geral de NPN | Philips |
252193 | BC850W | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
252194 | BC850W | Transistor do Af Do Silicone de PNP | Infineon |
252195 | BC856 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252196 | BC856 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
252197 | BC856 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
252198 | BC856 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
252199 | BC856 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | Vishay |
252200 | BC856 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
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