|   Primeira página   |   Todos os fabricantes   |   Pela Função   |  

Parte número, a descrição fabricante ou conter:    
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6300 | 6301 | 6302 | 6303 | 6304 | 6305 | 6306 | 6307 | 6308 | 6309 | 6310 | >>
Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
252161BC850BWTransistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta)Siemens
252162BC850BWMontagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-EpitaxialDiotec Elektronische
252163BC850BWNPN de uso geralNXP Semiconductors
252164BC850CTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
252165BC850CTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
252166BC850CTransistor da finalidade geral - pacote SOT23Infineon
252167BC850CTransistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e o ganho atual elevado das aplicações do excitador)Siemens
252168BC850CNPN de uso geralNXP Semiconductors
252169BC850C0.250W Uso Geral NPN Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC860C ComplementarContinental Device India Limited
252170BC850CSuperfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiaisDiotec Elektronische
252171BC850CNPN transistor de uso geral e aplicações de comutaçãoKorea Electronics (KEC)
252172BC850C-Z2GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNUnknow
252173BC850C-Z2GSILICONE DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
252174BC850C-Z2GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNUnknow
252175BC850C-Z2GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNUnknow
252176BC850C-Z2GSILICONE DE SOT23 NPN PLANARZetex Semiconductors
252177BC850C-Z2GTRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNUnknow
252178BC850CLTransistor Da Finalidade GeralON Semiconductor



252179BC850CLT1Silicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral)Leshan Radio Company
252180BC850CLT1O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB)Motorola
252181BC850CLT1Transistor Da Finalidade GeralON Semiconductor
252182BC850CLT1GSilicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral)ON Semiconductor
252183BC850CLT1GSilicone De Transistors(NPN Da Finalidade Geral)ON Semiconductor
252184BC850CMTFTransistor Epitaxial Do Silicone de NPNFairchild Semiconductor
252185BC850CTTransistor do Af Do Silicone de NPNInfineon
252186BC850CTTransistor do Af Do Silicone de NPNInfineon
252187BC850CWTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
252188BC850CWTransistor da finalidade geral - pacote SOT323Infineon
252189BC850CWTransistor do AF do silicone de NPN (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta)Siemens
252190BC850CWNPN de uso geralNXP Semiconductors
252191BC850CWSuperfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiaisDiotec Elektronische
252192BC850WTransistor da finalidade geral de NPNPhilips
252193BC850WMontagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-EpitaxialDiotec Elektronische
252194BC850WTransistor do Af Do Silicone de PNPInfineon
252195BC856Transistor da finalidade geral de PNPPhilips
252196BC856Transistor da finalidade geral de PNPPhilips
252197BC856Transistor Epitaxial Do Silicone de PNPFairchild Semiconductor
252198BC856Transistor Da Finalidade GeralKorea Electronics (KEC)
252199BC856Transistor Pequenos Do Sinal (PNP)Vishay
252200BC856TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
Folhas de dados encontradas :: 1351360Página: << | 6300 | 6301 | 6302 | 6303 | 6304 | 6305 | 6306 | 6307 | 6308 | 6309 | 6310 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com