| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252481 | BC857BT-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252482 | BC857BTT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252483 | BC857BTT1-D | Silicone Do Transistor PNP Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252484 | BC857BV | Transistor do dobro da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252485 | BC857BV | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252486 | BC857BV | PNP de uso geral dupla transistor | NXP Semiconductors |
| 252487 | BC857BV-7 | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252488 | BC857BW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252489 | BC857BW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252490 | BC857BW | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL PNP | ST Microelectronics |
| 252491 | BC857BW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252492 | BC857BW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252493 | BC857BW | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252494 | BC857BW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252495 | BC857BW | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252496 | BC857BW | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252497 | BC857BW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252498 | BC857BW | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252499 | BC857BW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252500 | BC857BW-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252501 | BC857BW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = -50V, V CEO = -45V, V EBO = -5V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252502 | BC857BWT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252503 | BC857BWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 252504 | BC857BWT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252505 | BC857C | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252506 | BC857C | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252507 | BC857C | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | National Semiconductor |
| 252508 | BC857C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252509 | BC857C | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252510 | BC857C | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252511 | BC857C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252512 | BC857C | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252513 | BC857C | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252514 | BC857C | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 252515 | BC857C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252516 | BC857C | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252517 | BC857C | Amplificador Da Finalidade Geral de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252518 | BC857C | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252519 | BC857C | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC847C Complementar | Continental Device India Limited |
| 252520 | BC857C | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
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