| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252681 | BC858BWT1 | O CASO 419-02, DENOMINA 3 SOT-323/SC-70 | Motorola |
| 252682 | BC858BWT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252683 | BC858C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252684 | BC858C | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252685 | BC858C | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252686 | BC858C | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252687 | BC858C | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252688 | BC858C | Transistor Pequeno 310mW Do Sinal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252689 | BC858C | Ruído Baixo Pequeno Do Transistor PNP Do Sinal de SMD | Central Semiconductor |
| 252690 | BC858C | Transistor, Rf & Af | Vishay |
| 252691 | BC858C | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC848C Complementar | Continental Device India Limited |
| 252692 | BC858C | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252693 | BC858C | min hfe 420 NF max. 10 dB Transistor polaridade PNP Ic corrente contínua max 100 mA Tensão VCEO 30 V Ic atual (HFE) 2 mA de energia Ptot 350 mW | Fairchild Semiconductor |
| 252694 | BC858C | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252695 | BC858C | Ic = 100mA, Vce = 5.0V transistor | MCC |
| 252696 | BC858C | Montar 30 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRANSYS Electronics Limited |
| 252697 | BC858C | Montar 30 V, superfície PNP transistor pequeno sinal | TRSYS |
| 252698 | BC858C(Z) | SOT23 NPN SILICONE PLANAR GERAIS TRANSISTORS FINALIDADE | Diodes |
| 252699 | BC858C-3L | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252700 | BC858C-3L | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252701 | BC858C-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252702 | BC858C-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252703 | BC858C-7-F | Transistores Bipolares | Diodes |
| 252704 | BC858CDW1 | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252705 | BC858CDW1T1 | A Finalidade Geral Dupla Transistors(PNP Duals) | Leshan Radio Company |
| 252706 | BC858CDW1T1 | Transistor Duplos Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252707 | BC858CDXV6 | Transistor Da Finalidade Geral PNP | ON Semiconductor |
| 252708 | BC858CDXV6T1 | Transistor Da Finalidade Geral PNP | ON Semiconductor |
| 252709 | BC858CDXV6T5 | Transistor Da Finalidade Geral PNP | ON Semiconductor |
| 252710 | BC858CF | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252711 | BC858CL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252712 | BC858CLT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252713 | BC858CLT1 | O CASO 318-08, DENOMINA 6 SOT-23 (TO-236AB) | Motorola |
| 252714 | BC858CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252715 | BC858CLT1G | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252716 | BC858CLT1G | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252717 | BC858CLT1G | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252718 | BC858CLT1G | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252719 | BC858CLT3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252720 | BC858CLT3G | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
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