| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252721 | BC858CLT3G | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252722 | BC858CLT3G | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252723 | BC858CLT3G | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | ON Semiconductor |
| 252724 | BC858CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252725 | BC858CW | Transistor Bipolares | Diodes |
| 252726 | BC858CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252727 | BC858CW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252728 | BC858CW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252729 | BC858CW | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252730 | BC858CW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252731 | BC858CW-7 | TRANSISTOR PEQUENO DO SINAL DA MONTAGEM DA SUPERFÍCIE DE PNP | Diodes |
| 252732 | BC858CW-G | Sinal Pequeno Transistor, V CBO = -30V, V CEO = -30V, V EBO = -5V, I C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252733 | BC858CWT1 | Silicone De Transistors(PNP Da Finalidade Geral) | Leshan Radio Company |
| 252734 | BC858CWT1 | Silício PNP de uso geral transistor | Motorola |
| 252735 | BC858F | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252736 | BC858F | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252737 | BC858S | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252738 | BC858S | Montagem de superfície PlanarTransistors Silicone-si-Epitaxial | Diotec Elektronische |
| 252739 | BC858T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252740 | BC858T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252741 | BC858U | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252742 | BC858UF | Transistor do silicone de PNP (aplicação do switching da aplicação da finalidade geral) | AUK Corp |
| 252743 | BC858W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252744 | BC858W | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252745 | BC858W | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252746 | BC858W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252747 | BC858W | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252748 | BC859 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252749 | BC859 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252750 | BC859 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | Vishay |
| 252751 | BC859 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252752 | BC859 | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252753 | BC859 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252754 | BC859 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC849 Complementar | Continental Device India Limited |
| 252755 | BC859 | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252756 | BC859 | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252757 | BC859A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252758 | BC859A | Transistor Pequenos Do Sinal (PNP) | General Semiconductor |
| 252759 | BC859A | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252760 | BC859A | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
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