| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 252801 | BC859C | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252802 | BC859C-Z4C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252803 | BC859C-Z4C | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252804 | BC859CL | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252805 | BC859CLT1 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252806 | BC859CLT3 | Transistor Da Finalidade Geral | ON Semiconductor |
| 252807 | BC859CMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252808 | BC859CW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252809 | BC859CW | Transistor da finalidade geral - pacote SOT323 | Infineon |
| 252810 | BC859CW | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252811 | BC859CW | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252812 | BC859CW | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252813 | BC859T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252814 | BC859T | Transistor do Af Do Silicone de NPN | Infineon |
| 252815 | BC859W | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252816 | BC859W | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252817 | BC859W | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252818 | BC860 | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252819 | BC860 | Transistor Da Finalidade Geral | Korea Electronics (KEC) |
| 252820 | BC860 | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252821 | BC860 | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252822 | BC860 | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125-800 hFE. BC850 Complementar | Continental Device India Limited |
| 252823 | BC860 | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252824 | BC860 | NPN Silicon Transistor do AF | Infineon |
| 252825 | BC860A | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252826 | BC860A | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 125-250 hFE. BC850A Complementar | Continental Device India Limited |
| 252827 | BC860A | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
| 252828 | BC860A | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252829 | BC860A-Z4E | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252830 | BC860A-Z4E | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252831 | BC860AMTF | Transistor Epitaxial Do Silicone de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252832 | BC860AW | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252833 | BC860B | Transistor da finalidade geral de PNP | Philips |
| 252834 | BC860B | TRANSISTOR PLANAR DA FINALIDADE GERAL DO SILICONE DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252835 | BC860B | Transistor da finalidade geral - pacote SOT23 | Infineon |
| 252836 | BC860B | Transistor do AF do silicone de PNP (para estágios da entrada do AF e tensão baixa do saturation do collector-emitter do ganho atual das aplicações do excitador a alta) | Siemens |
| 252837 | BC860B | Transistor da finalidade geral de PNP | NXP Semiconductors |
| 252838 | BC860B | 0.250W Uso Geral PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC850B Complementar | Continental Device India Limited |
| 252839 | BC860B | Superfície PlanarTransistors monte Si-epitaxiais | Diotec Elektronische |
| 252840 | BC860B | PNP transistor de uso geral e aplicações de comutação | Korea Electronics (KEC) |
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