Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
315801 | CM1819 | 8-2 Diagrama De Circuito do PWB | Samsung Electronic |
315802 | CM1829 | 8-2 Diagrama De Circuito do PWB | Samsung Electronic |
315803 | CM1829-1429 | Diagrama De Circuito do PWB | Samsung Electronic |
315804 | CM1901-7R | Conversores De 50 Watts DC-DC | Power-One |
315805 | CM20-12A | TRANSISTOR DE PODER DO RF DO SILICONE DE NPN | Advanced Semiconductor |
315806 | CM2006 | Circuito Companion Porta VGA para monitores | ON Semiconductor |
315807 | CM2009 | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315808 | CM2009 | Porta VGA Circuito Companion | ON Semiconductor |
315809 | CM2009-00QR | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315810 | CM2009-00QS | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315811 | CM2009-01QR | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315812 | CM2009-01QS | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315813 | CM2009-02QR | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315814 | CM2009-02QS | Circuito Portuário Do Companheiro de VGA | California Micro Devices Corp |
315815 | CM200DU-12F | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315816 | CM200DU-12F | Volts Duplos Do Projeto IGBTMOD.?00 Amperes/600 Da Porta Da Trincheira | Powerex Power Semiconductors |
315817 | CM200DU-12H | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315818 | CM200DU-12H | TIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315819 | CM200DU-12H | Volts Amperes/600 Duplos de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315820 | CM200DU-12NFH | USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO | Mitsubishi Electric Corporation |
315821 | CM200DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315822 | CM200DU-24F | USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315823 | CM200DU-24F | Volts Duplos Do Projeto IGBTMOD.?00 Amperes/1200 Da Porta Da Trincheira | Powerex Power Semiconductors |
315824 | CM200DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315825 | CM200DU-24H | TIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315826 | CM200DU-24H | Volts Amperes/1200 Duplos de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315827 | CM200DU-24NFH | USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO | Mitsubishi Electric Corporation |
315828 | CM200DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
315829 | CM200DU-34KA | Volts Amperes/1700 Duplos Do Módulo 200 Da KA-Série de IGBTMOD | Powerex Power Semiconductors |
315830 | CM200DY-12H | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315831 | CM200DY-12H | TIPO ISOLADO USO MÓDULOS DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DE IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315832 | CM200DY-12H | Volts Amperes/600 Duplos de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315833 | CM200DY-12NF | USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO | Mitsubishi Electric Corporation |
315834 | CM200DY-24A | USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO | Mitsubishi Electric Corporation |
315835 | CM200DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315836 | CM200DY-24H | TIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315837 | CM200DY-24H | Volts Amperes/1200 Duplos de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315838 | CM200DY-24NF | MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315839 | CM200DY-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
315840 | CM200DY-28H | TIPO ISOLADO USO DO SWITCHING DO PODER ELEVADO DOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
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