| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 315801 | CM1829-1429 | Schéma de circuit de Carte | Samsung Electronic |
| 315802 | CM1901-7R | Convertisseurs De C.c-C.c De 50 Watts | Power-One |
| 315803 | CM20-12A | TRANSISTOR DE PUISSANCE DU SILICIUM RF DE NPN | Advanced Semiconductor |
| 315804 | CM2006 | Port VGA Circuit d'accompagnement pour Moniteurs | ON Semiconductor |
| 315805 | CM2009 | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315806 | CM2009 | Port VGA Companion Circuit | ON Semiconductor |
| 315807 | CM2009-00QR | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315808 | CM2009-00QS | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315809 | CM2009-01QR | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315810 | CM2009-01QS | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315811 | CM2009-02QR | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315812 | CM2009-02QS | Circuit Gauche De Compagnon de VGA | California Micro Devices Corp |
| 315813 | CM200DU-12F | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315814 | CM200DU-12F | Conception IGBTMOD¢â Duel De Porte De Fossé 200 Volts Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
| 315815 | CM200DU-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315816 | CM200DU-12H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315817 | CM200DU-12H | Volts Amperes/600 Duels d'cIgbtmod 200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315818 | CM200DU-12NFH | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315819 | CM200DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315820 | CM200DU-24F | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315821 | CM200DU-24F | Conception IGBTMOD¢â Duel De Porte De Fossé 200 Volts Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315822 | CM200DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315823 | CM200DU-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbt | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315824 | CM200DU-24H | Volts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315825 | CM200DU-24NFH | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315826 | CM200DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315827 | CM200DU-34KA | Volts Amperes/1700 Duels Du Module 200 De Ka-Série d'cIgbtmod | Powerex Power Semiconductors |
| 315828 | CM200DY-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315829 | CM200DY-12H | MODULES DU TYPE ISOLÉS PAR UTILISATION IGBT DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315830 | CM200DY-12H | Volts Amperes/600 Duels d'cIgbtmod 200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315831 | CM200DY-12NF | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315832 | CM200DY-24A | UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315833 | CM200DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315834 | CM200DY-24H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315835 | CM200DY-24H | Volts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315836 | CM200DY-24NF | MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315837 | CM200DY-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315838 | CM200DY-28H | TYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
| 315839 | CM200DY-28H | Volts Amperes/1400 Duels d'cIgbtmod 200 | Powerex Power Semiconductors |
| 315840 | CM200E3U-12H | Modules d'cIgbt: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
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