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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
4284128LV010RT4DE253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284228LV010RT4DI203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284328LV010RT4DI253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284428LV010RT4DS203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284528LV010RT4DS253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284628LV010RT4FB203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284728LV010RT4FB253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284828LV010RT4FE203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284928LV010RT4FE253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285028LV010RT4FI203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285128LV010RT4FI253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285228LV010RT4FS203.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285328LV010RT4FS253.3V 1 Megabit (128K x 8-bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285428LV256JC-3Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4285528LV256JC-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
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4285728LV256JC-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4285828LV256JC-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4285928LV256JC-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC



4286028LV256JC-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286128LV256JC-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
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4286328LV256JI-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4286428LV256JI-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286528LV256JI-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
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4286728LV256JI-5CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 300 ns.Turbo IC
4286828LV256JI-6Velocidade: 400 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4286928LV256JI-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
4287028LV256JM-3Velocidade: 200 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4287128LV256JM-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4287228LV256JM-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
4287328LV256JM-4CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 250 ns.Turbo IC
4287428LV256JM-5Velocidade: 300 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
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4287728LV256JM-6CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 400 ns.Turbo IC
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4287928LV256PC-3CMOS de baixa tensão. 256K ROM programável apagável eletricamente. 32K x 8 bit EEPROM. O tempo de acesso de 200 ns.Turbo IC
4288028LV256PC-4Velocidade: 250 ns, baixa tensão CMOS 256 K eletricamente apagável 32K ROM programável x 8 BIT EEPROMTurbo IC
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