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Nr.Nome da parteDescriçãoFabricante
501961HN3A51FTransistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1TOSHIBA
501962HN3B01FTIPO EPITAXIAL DE PNP (APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA FINALIDADE GERAL DE FREQÜÊNCIA AUDIO)TOSHIBA
501963HN3B02FUTipo Epitaxial Do Silicone PNP.NPN Do Transistor (Processo) do Pct Aplicações Do Amplificador Da Finalidade Geral De Freqüência AudioTOSHIBA
501964HN3C01FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501965HN3C01FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501966HN3C02FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501967HN3C02FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501968HN3C03FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501969HN3C03FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501970HN3C09FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501971HN3C09FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501972HN3C10FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501973HN3C10FETIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
501974HN3C10FTTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
501975HN3C10FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501976HN3C11FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501977HN3C11FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501978HN3C12TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF)TOSHIBA



501979HN3C12FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501980HN3C12FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501981HN3C13FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501982HN3C13FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501983HN3C14TIPO PLANAR EPITAXIAL DE NPN (APLICAÇÕES BAIXAS DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHF)TOSHIBA
501984HN3C14FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501985HN3C14FTTIPO PLANAR EPITAXIAL APLICAÇÕES BAIXAS DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR DO AMPLIFICADOR DO RUÍDO DA FAIXA DE VHF~UHFTOSHIBA
501986HN3C14FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501987HN3C15FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501988HN3C15FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501989HN3C16FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501990HN3C16FTProdutos Novos do RfTOSHIBA
501991HN3C16FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501992HN3C17FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501993HN3C17FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501994HN3C18FTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501995HN3C18FTProdutos Novos do RfTOSHIBA
501996HN3C18FUTransistor Do Híbrido do Rf 2-in-1TOSHIBA
501997HN3C51FTransistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1TOSHIBA
501998HN3C56FUTransistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1TOSHIBA
501999HN3C67FETransistor de amplificação de baixa freqüência pequenos sinais 2 em 1TOSHIBA
502000HN3G01TIPO TIPO EPITAXIAL TRANSISTOR Da JUNÇÃO Da CANALETA De N Do SILICONE NPN Do FetTOSHIBA
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