| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 52921 | 2SC1621 | MOLDE MINI DO TRANSISTOR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDADE DO SILICONE DO SWITCHING PNP | NEC |
| 52922 | 2SC1621-L | Transistor do silicone | NEC |
| 52923 | 2SC1621-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 52924 | 2SC1621-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 52925 | 2SC1622 | DO TRANSISTOR EPITAXIAL ELEVADO DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO GANHO DA FREQÜÊNCIA AUDIO MOLDE MINI | NEC |
| 52926 | 2SC1622A | DO TRANSISTOR EPITAXIAL ELEVADO DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DO GANHO DA FREQÜÊNCIA AUDIO MOLDE MINI | NEC |
| 52927 | 2SC1622A-L | Silicone high-gain low-frequency Tr do amplification. | NEC |
| 52928 | 2SC1622A-T1B | Silicone high-gain low-frequency Tr do amplification. | NEC |
| 52929 | 2SC1622A-T2B | Silicone high-gain low-frequency Tr do amplification. | NEC |
| 52930 | 2SC1623 | MOLDE MINI DO TRANSISTOR EPITAXIAL DO SILICONE DO AMPLIFICADOR NPN DA FINALIDADE GERAL DE FREQÜÊNCIA AUDIO | NEC |
| 52931 | 2SC1623-L | Transistor do silicone | NEC |
| 52932 | 2SC1623-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 52933 | 2SC1623-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 52934 | 2SC1624 | TIPO PLANAR DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 52935 | 2SC1624 | TIPO PLANAR DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 52936 | 2SC1625 | TIPO PLANAR DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 52937 | 2SC1625 | TIPO PLANAR DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
| 52938 | 2SC1626 | TRANSISTOR DE PODER EPITAXIAL PLANAR DO SILICONE | Micro Electronics |
| 52939 | 2SC1627 | Tipo epitaxial do silicone NPN do transistor (processo) do PCT aplicações do amplificador da tensão das aplicações do amplificador do estágio de excitador | TOSHIBA |
| 52940 | 2SC1627A | TIPO EPITAXIAL DO SILICONE NPN DO TRANSISTOR (PROCESSO) DO PCT APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DO ESTÁGIO DE EXCITADOR. APLICAÇÕES DO AMPLIFICADOR DA TENSÃO | TOSHIBA |
| 52941 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52942 | 2SC1645 | 2SC1545M | ROHM |
| 52943 | 2SC1645S | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 52944 | 2SC1651S | Transistor > sinal pequeno Transistors(up bipolar a 0.6W) | ROHM |
| 52945 | 2SC1652 | Transistor Médios Do Silicone De Amp. Epitaxial Planar NPN Do Poder | ROHM |
| 52946 | 2SC1653 | MOVIMENTAÇÃO do TUBO de EXPOSIÇÃO, MOLDE MINI do TRANSISTOR EPITAXIAL de alta tensão do SILICONE do SWITCHING NPN | NEC |
| 52947 | 2SC1653-L | Transistor do silicone | NEC |
| 52948 | 2SC1653-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 52949 | 2SC1653-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 52950 | 2SC1654 | MOVIMENTAÇÃO do TUBO de EXPOSIÇÃO, MOLDE MINI do TRANSISTOR EPITAXIAL de alta tensão do SILICONE do SWITCHING NPN | NEC |
| 52951 | 2SC1654-L | Transistor do silicone | NEC |
| 52952 | 2SC1654-T1B | Transistor do silicone | NEC |
| 52953 | 2SC1654-T2B | Transistor do silicone | NEC |
| 52954 | 2SC1672 | Amplificadores e interruptores médios de poder | Unknow |
| 52955 | 2SC1672 | Amplificadores e interruptores médios de poder | Unknow |
| 52956 | 2SC1674 | Transistor Plástico-Plastic-Encapsulated TO-92 | TRANSYS Electronics Limited |
| 52957 | 2SC1674 | Amplificador PIF TV, amplificador sintonizador RF FM, batedeira, occillator. Tensão coletor-base = 30V VCBO. Tensão coletor-emissor = 20V VCEO. Tensão emissor-base Vebo = 4V. Dissipação Collector PC (max) = 250mW. Coletor de corrente | USHA India LTD |
| 52958 | 2SC1675 | TRANSISTOR DO SILICONE DE NPN | Micro Electronics |
| 52959 | 2SC1675 | Amplificador FM / AM RF, misturador, conversor, oscilador, SE. Tensão coletor-base de 50V = Vcbo. Tensão coletor-emissor = 30V VCEO. Base-emissor Tensão = 5V Vebo. Dissipação Collector PC (max) = 250mW. Coletor de corrente Ic = 50 mA. | USHA India LTD |
| 52960 | 2SC1678 | TIPO PLANAR EPITAXIAL DO SILICONE NPN | TOSHIBA |
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